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公开(公告)号：CN119108203A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411276667.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及层叠型线圈部件，具有：层叠体，通过在层叠方向上层叠多个绝缘层而形成，并在内部设置有线圈；和外部电极，设置于层叠体的表面且与线圈电连接，层叠体具有：在长度方向上相对的第一端面及第二端面、在与长度方向正交的高度方向上相对的第一及第二主面、以及在与长度方向及高度方向正交的宽度方向上相对的第一及第二侧面，外部电极具有：第一外部电极，从层叠体的第一端面的至少一部分延伸到第一主面一部分；和第二外部电极，从层叠体的第二端面的至少一部分延伸到第一主面一部分，层叠体的层叠方向以及线圈的线圈轴平行于第一主面，1GHz以上且小于40GHz的范围内的透射系数S21为‑1.0dB以上，并且40GHz以上且60GHz以下的范围内的透射系数S21为‑1.5dB以上。
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公开(公告)号：CN111986875B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010435408.7
申请日：2020-05-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 比留川敦夫
Abstract: 本发明提供高频带的阻抗大、高频特性优异的层叠型线圈部件。层叠型线圈部件具备：层叠体、以及第1外部电极和第2外部电极，线圈由与绝缘层一起沿长度方向层叠的多个线圈导体电连接而成，层叠体具有：第1端面和第2端面、第1主面和第2主面以及第1侧面和第2侧面，线圈导体具有线部和在线部的端部配置的连接盘部，在层叠方向上相邻的线圈导体的连接盘部经由导通孔导体而彼此连接，在从层叠方向俯视时，连接盘部没有位于比线部的内周缘靠内侧，且局部与线部重叠，在从层叠方向俯视时，连接盘部的直径为线部的线宽的1.05倍以上且1.3倍以下。
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公开(公告)号：CN113223811B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202110149349.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈，能够在例如25GHz～30GHz这样的高频带中，使差模信号透过并且抑制共模噪声成分。具备：层叠体(2)，具有多个非导电体层(3a～3e)；第一线圈(11)以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)；第一端子电极(13)以及第二端子电极(14)，与第一线圈(11)连接；以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16)，与第二线圈(12)连接，第一线圈(11)具有第一线圈导体(17)，第二线圈(12)具有第二线圈导体(18)，上述第二线圈导体(18)沿着与配置有第一线圈导体的非导电体层(3b、3c)间的界面不同的非导电体层(3c、3d)间的界面配置，在共模扼流圈(1)中，第一线圈导体以及第二线圈导体各自的匝数小于2匝。
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公开(公告)号：CN110349734B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201910248034.5
申请日：2019-03-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 比留川敦夫
Abstract: 本发明提供高频特性优异的层叠型线圈元件。本发明的层叠型线圈元件具备：层叠体，其层叠多个绝缘层而成，并在内部内置线圈；第1外部电极和第2外部电极，它们与上述线圈电连接。上述线圈是通过将与绝缘层一起层叠的多个线圈导体电连接而形成的。本发明的层叠型线圈元件还在层叠体的内部具备第1连结导体和第2连结导体。上述第1连结导体将第1外部电极的覆盖层叠体的第1端面的部分和与它对置的线圈导体之间连接，上述第2连结导体将第2外部电极的覆盖层叠体的第2端面的部分和与它对置的线圈导体之间连接。在上述长度方向上，上述第1连结导体和上述第2连结导体的长度均为上述层叠体的长度的2.5％以上且7.5％以下。
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公开(公告)号：CN114242417A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111030857.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及层叠型线圈部件，具有：层叠体，通过在层叠方向上层叠多个绝缘层而形成，并在内部设置有线圈；和外部电极，设置于层叠体的表面且与线圈电连接，层叠体具有：在长度方向上相对的第一端面及第二端面、在与长度方向正交的高度方向上相对的第一及第二主面、以及在与长度方向及高度方向正交的宽度方向上相对的第一及第二侧面，外部电极具有：第一外部电极，从层叠体的第一端面的至少一部分延伸到第一主面一部分；和第二外部电极，从层叠体的第二端面的至少一部分延伸到第一主面一部分，层叠体的层叠方向以及线圈的线圈轴平行于第一主面，1GHz以上且小于40GHz的范围内的透射系数S21为‑1.0dB以上，并且40GHz以上且60GHz以下的范围内的透射系数S21为‑1.5dB以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113539610A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110429390.4
申请日：2021-04-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 比留川敦夫
Abstract: 本发明提供一种层叠型线圈部件，具备：层叠体，设置于层叠体的内部的线圈，以及第1外部电极和第2外部电极；第1外部电极从层叠体的第1端面的一部分跨过第1主面的一部分进行延伸，第2外部电极从层叠体的第2端面的一部分跨过第1主面的一部分进行延伸，绝缘层的层叠方向和线圈的线圈轴(C)的方向与作为安装面的层叠体的第1主面平行，线圈的长度方向(L)的长度(L3)为层叠体的长度方向(L)的长度(L2)的85％～94％，在将从长度方向(L)观察时的线圈导体的线宽度设为s、将线圈导体的长度方向(L)的长度设为a、将在长度方向(L)相邻的线圈导体间的距离设为b时，X＝s、Y＝a/(a+b)的坐标(X，Y)存在于规定的区域。
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公开(公告)号：CN113284696A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110148485.9
申请日：2021-02-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈，在例如25GHz～30GHz这样的高频带中，能够使差模信号透过并且抑制共模的噪声成分。共模扼流圈(1)具备：长方体形状的层叠体(2)，具有被层叠的多个非导电体层(3)；和第一线圈11以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)，第一线圈(11)具有第一线圈导体(17)，第二线圈(12)具有第二线圈导体(18)，在上述共模扼流圈(1)中，在0.1GHz以上且100GHz以下的频率区域中，Sdd21透过特性成为‑3dB以下的频率为30GHz以上，在10GHz以上且60GHz以下的频率区域中，Scc21透过特性成为最小的频率为20GHz以上，Scc21透过特性的最小值为‑20dB以下。
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公开(公告)号：CN113223810A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110149341.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈，在例如25GHz～30GHz这样的高频带中，能够使差模信号透过并且抑制共模噪声成分。共模扼流圈具备：层叠体(2)，具有被层叠的多个非导电体层(3)；和第一线圈(11)以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)，第一线圈(11)具有第一线圈导体(17)，第二线圈(12)具有第二线圈导体(18)，上述第二线圈导体(18)沿着与配置有第一线圈导体的非导电体层(3b、3c)间的界面不同的非导电体层(3c、3d)间的界面配置，在上述共模扼流圈中，当在层叠体(2)的层叠方向上俯视第一线圈导体(17)以及第二线圈导体(18)时，第一线圈导体(17)以及第二线圈导体(18)除去相互交叉的部分之外，不存在相互重叠的部分。
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公开(公告)号：CN111653412A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010138720.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 比留川敦夫
Abstract: 本发明提供一种层叠型线圈部件，共振频率分散且能够在宽频带中使用，高频特性优异。该层叠型线圈部件具备：层叠体、第1外部电极和第2外部电极，线圈是通过将与绝缘层一起层叠的多个线圈导体电连接而形成的，第1外部电极配置为，覆盖第1端面的局部，并且从第1端面延伸而覆盖第1主面的局部，第2外部电极配置为，覆盖第2端面的局部，并且从第2端面延伸而覆盖第1主面的局部，第1主面为安装面，层叠体的层叠方向和线圈的轴向与安装面平行，线圈导体间的绝缘层由包含磁性材料和非磁性材料中至少一者的材料构成，从层叠体的第1端面朝向第2端面，绝缘层中包含的非磁性材料的含有率发生变化。
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公开(公告)号：CN114068129B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110872052.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈，即使在例如25GHz～30GHz这样的较高的频带，甚至超过30GHz的极高的频带中，也能够抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备：层叠体(2)，具有多个非导电体层(3a～3e)；和第一线圈(11)以及第二线圈(12)，内置于层叠体(2)，其中，当将第一线圈(11)的路径长度设为L1，并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时，L1以及L2的合计长度为3.30mm以下，使第一线圈(11)中的第一线圈导体(17)与第二线圈(12)中的第二线圈导体(18)之间的非导电体层(3a～3e)的层叠方向上的间隔D为6μm以上并且26μm以下。
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