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公开(公告)号：CN110995182B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910907815.0
申请日：2019-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够适当地进行包络线跟踪。功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频信号，从集电极输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。
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公开(公告)号：CN110995182A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910907815.0
申请日：2019-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够适当地进行包络线跟踪。功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频信号，从集电极输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。
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公开(公告)号：CN106301396B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610191805.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种对应于多模和多频并且适用于下行载波聚合的通信单元，其具备第1功率放大模块和第2功率放大模块，第1功率放大模块包括：对第1通信方式下的第1发送信号进行放大的第1功率放大器、对第1通信方式下的第2发送信号进行放大的第2功率放大器、对第2通信方式下的第3发送信号进行放大的第3功率放大器、对第2通信方式下的第4发送信号进行放大的第4功率放大器、生成第1偏置电流的第1偏置电流生成电路、以及将第1偏置电流转换成第2偏置电流的偏置电流转换电路，第2功率放大模块包括：对第1通信方式下的第5发送信号进行放大的第5功率放大器、以及生成提供给第5功率放大器的第3偏置电流的第2偏置电流生成电路。
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公开(公告)号：CN106301396A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610191805.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04W52/52 , H03F1/0261 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F2200/111 , H04B7/265 , H04L5/14 , H04W72/042 , H04W88/06 , H04B1/005
Abstract: 本发明提供一种对应于多模和多频并且适用于下行载波聚合的通信单元，其具备第1功率放大模块和第2功率放大模块，第1功率放大模块包括：对第1通信方式下的第1发送信号进行放大的第1功率放大器、对第1通信方式下的第2发送信号进行放大的第2功率放大器、对第2通信方式下的第3发送信号进行放大的第3功率放大器、对第2通信方式下的第4发送信号进行放大的第4功率放大器、生成第1偏置电流的第1偏置电流生成电路、以及将第1偏置电流转换成第2偏置电流的偏置电流转换电路，第2功率放大模块包括：对第1通信方式下的第5发送信号进行放大的第5功率放大器、以及生成提供给第5功率放大器的第3偏置电流的第2偏置电流生成电路。
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公开(公告)号：CN114830528A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080087273.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 实现功率附加效率的提高。第二晶体管(Q2)的第二基极与第一晶体管(Q1)的第一集电极连接。第三晶体管(Q3)的第三基极与第一晶体管(Q1)的第一集电极连接，第三集电极与第二晶体管(Q2)的第二集电极连接。第二偏置电路(5)包含与第二晶体管(Q2)的第二基极连接的第五晶体管(50)。第三偏置电路(6)包含与第三晶体管(Q3)的第三基极连接的第六晶体管(60)。第一电流限制电路(7)具有第七晶体管(70)、第一集电极电阻(Rc1)、以及第一基极电阻(Rb1)。第二电流限制电路(8)具有第八晶体管(80)、第二集电极电阻(Rc2)、以及第二基极电阻(Rb2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113225023A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011532387.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/22
Abstract: 本发明提供一种抑制高频信号的失真的功率放大电路。包含功率放大器和调整电路，功率放大器包含：第1晶体管，第1端子与基准电位电连接，在第2端子被输入第1电流，并且被输入高频信号，第3端子经由第1电感器与第1电源电位电连接；电容器，一端与第1晶体管的第3端子电连接；以及第2晶体管，第1端子与电容器的另一端电连接，并且经由第2电感器与基准电位电连接，在第2端子被输入第2电流，并且与基准电位电连接，第3端子经由第3电感器与第1电源电位电连接，从第3端子输出高频输出信号，调整电路将与第1电源电位或第2电源电位相应的第3电流输出到第2晶体管的第2端子。
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公开(公告)号：CN112929000A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011324715.4
申请日：2020-11-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 提供一种功率放大电路，改善输入输出的增益的特性，降低输出信号的失真。功率放大电路(1a)包括：第一偏置电路(3)，其赋予第一偏置；第二偏置电路(4)，其赋予第二偏置；晶体管(Q1)，其发射极与基准电位连接，在基极经由第一电阻输入第一偏置，经由第一电容器输入高频输入信号，从集电极输出放大后的高频信号；晶体管(Q2)，其在基极经由第二电阻输入第二偏置，基极经由第二电容器而与基准电位连接，在发射极输入高频信号，集电极经由第三电感器而与电源电位连接，从集电极输出高频输出信号；以及阻抗电路(Z1)，其一端与第二偏置电路(4)的输出部连接，在从第二偏置电路(4)向晶体管(Q2)的基极的路径中施加交流信号。
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公开(公告)号：CN110875723A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910811375.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在使最大输出功率增大的同时使功率附加效率提高。功率放大电路具备：下级晶体管，具有被供给第一电源电压的第一端子、与接地连接的第二端子和被供给输入信号的第三端子；第一电容器；上级晶体管，具有被供给第二电源电压并且将放大信号输出到输出端子的第一端子、通过第一电容器与下级晶体管的第一端子连接的第二端子和被供给驱动电压的第三端子；第一电感器，将上级晶体管的第二端子连接到接地；电压调整电路，调整驱动电压；以及至少一个终止电路，使放大信号的偶数阶谐波或奇数阶谐波与接地电位短路，至少一个终止电路被设置为从传输路径上的任一点分岔，该传输路径从下级晶体管的第一端子起经由第一电容器以及上级晶体管到达输出端子。
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公开(公告)号：CN110021595A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910018835.2
申请日：2019-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明提供能够抑制发射极电阻的增大且具有适合于高输出动作的构成的半导体装置。多个单位晶体管在基板的表面沿第一方向排列地配置。与单位晶体管对应地配置输入电容元件。在单位晶体管的发射极层连接发射极共用布线。在与发射极共用布线重叠的位置设置从发射极共用布线到达至基板的背面的导通孔。在单位晶体管的集电极层连接集电极共用布线。多个输入电容元件、发射极共用布线、多个单位晶体管以及集电极共用布线按上述记载顺序沿第二方向排列地配置。将多个输入电容元件与对应的单位晶体管的基极层连接的基极布线与发射极共用布线不物理性接触地交叉。
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公开(公告)号：CN112929000B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011324715.4
申请日：2020-11-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 提供一种功率放大电路，改善输入输出的增益的特性，降低输出信号的失真。功率放大电路(1a)包括：第一偏置电路(3)，其赋予第一偏置；第二偏置电路(4)，其赋予第二偏置；晶体管(Q1)，其发射极与基准电位连接，在基极经由第一电阻输入第一偏置，经由第一电容器输入高频输入信号，从集电极输出放大后的高频信号；晶体管(Q2)，其在基极经由第二电阻输入第二偏置，基极经由第二电容器而与基准电位连接，在发射极输入高频信号，集电极经由第三电感器而与电源电位连接，从集电极输出高频输出信号；以及阻抗电路(Z1)，其一端与第二偏置电路(4)的输出部连接，在从第二偏置电路(4)向晶体管(Q2)的基极的路径中施加交流信号。
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