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公开(公告)号：JPWO2020066126A1
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2019021055
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社村田製作所
Abstract: 接合部の気密性及び接合強度を向上させることのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。 共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、接合部60は、アルミニウムを主成分とする第1金属と、ゲルマニウム又はシリコンの第2金属と、チタン又はニッケルの第3金属との共晶合金を主成分とする共晶層65を含む。
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公开(公告)号：JPWO2016204170A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017525256
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H01L23/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L23/02
Abstract: ダイシングの際に封止枠にかかるストレスを低減する。本発明に係るウエハレベルパッケージは、第1ウエハと、第1ウエハに対向して設けられた第2ウエハと、第1ウエハと第2ウエハとの間に設けられ、アレイ状に配置された複数の略矩形のチップと、所定の間隔で設けられ、複数の略矩形のチップそれぞれを囲んで当該チップを封止する、複数の封止枠と、複数のチップのうち、互いに角が対向するチップをそれぞれ封止する封止枠同士を連結する連結部と、を備える。
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公开(公告)号：JPWO2020049814A1
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：JP2019022016
申请日：2019-06-03
Applicant: 株式会社村田製作所
Inventor： 福光 政和
IPC: B23K26/53 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/301
Abstract: デバイス部の損傷を抑制することのできるMEMSデバイスの製造方法及びMEMSデバイスを提供する。共振装置1の製造方法は、上面にデバイス部が形成された第1基板330と、接合部60を介して上面が第1基板330の下面と接合された第2基板350との分割ラインLN1,LN2に沿って第2基板350の内部に改質領域MA2が形成されるように、第2基板350の下面側からレーザ光LLを照射する工程S306と、改質領域MA2に応力を加えて分割ラインLN1,LN2に沿って第1基板330及び第2基板350を分割する工程S307と、を含み、接合部60は、分割ラインLN1,LN2に沿って形成され、レーザ光LLを遮光する。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2018008480A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017023622
申请日：2017-06-27
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 保持部上の絶縁体層に帯電した電荷が共振周波数に与える影響を抑制する。 圧電膜と、当該圧電膜を間に挟んで対向するように設けられた下部電極及び上部電極とを有し、所定の振動モードで振動する振動部と、振動部における振動の変位が最大となる変位最大領域の周囲に少なくとも設けられ、絶縁膜を有する保持部と、振動部と保持部とを接続する保持腕と、保持部における少なくとも振動部の変位最大領域に対向する領域において、保持部の絶縁膜に接して形成された導電部と、を備え、導電部は、下部電極又は前記上部電極と電気的に接続されるか、又は、接地される。
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公开(公告)号：JPWO2020027121A1
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2019029818
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社村田製作所
Abstract: 接続部を構成する共晶合金の一部の金属が接続配線を伝って拡散するのを抑制することのできる、MEMSデバイスを提供する。 共振装置1は、共振子10と、共振子10に電気的に接続する接続配線75とを含むMEMS基板50と、接続配線75に電気的に接続する接続部70であって、第1金属層71とMEMS基板50側に設けられる第2金属層72との共晶合金で構成される接続部70と、を備え、MEMS基板50の主面を平面視したときに、接続配線75の線幅WLは接続部の幅WCより小さい。
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公开(公告)号：JP6376524B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2017525256
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H01L21/301 , H01L23/02
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L24/94 , H01L2924/16195 , H01L2924/16235
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公开(公告)号：JPWO2017047663A1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017539950
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社村田製作所
Abstract: 共晶接合の接合面から、金属がはみ出ることを防ぐことが可能になる。表面に配線を有する素子を有する下側基板と、素子と対向して設けられた上側基板と、素子の周囲において、下側基板と上側基板とを接合する接合部と、を備え、接合部は、素子に近い部分から遠い部分に亘って連続して設けられた第1領域、第2領域、及び第3領域を有し、第1領域又は第3領域のうち少なくともいずれか一方の領域は、第1成分及び第2成分のうち融点が高い方の一方の成分の過共晶合金を含み、第2領域は、第1成分と第2成分との共晶合金を含む。
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公开(公告)号：JP6172555B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2016560294
申请日：2015-11-19
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H03H3/02
CPC classification number: B23K20/023 , B06B1/06 , B06B1/0603 , B23K20/16 , B23K20/22 , B81C1/00269 , H01L21/187 , H01L41/09 , H01L41/313 , B06B1/0648 , B23K2201/40 , B81B2201/0242 , B81C2203/033 , B81C2203/035 , H03H2003/026 , H03H3/02 , H03H9/0595 , H03H9/1035
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