公开(公告)号：CN101681759A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017159.7

申请日：2008-05-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 饭岛荣一 ,  箱守宗人 ,  中塚雅斗 ,  仓内利春

IPC: H01J9/39 ,  H01J9/26 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J9/39 ,  H01J9/261 ,  H01J9/385 ,  H01J9/46 ,  H01J11/12

Abstract: 一种向封接的第一基板(1)和第二基板(2)之间填充放电气体而成的等离子体面板的制造方法，其特征在于，具有：通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板(1)在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离的所述第一基板(1)与所述第二基板(2)并进行封接的封接工序。由于在使第一基板与第二基板抵接之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净化。另外，由于将保护膜加热到280℃以上，能够脱离约70％的吸附在保护膜上的杂质气体。

公开(公告)号：CN101681759B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200880017159.7

申请日：2008-05-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 饭岛荣一 ,  箱守宗人 ,  中塚雅斗 ,  仓内利春

IPC: H01J9/39 ,  H01J9/26 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J9/39 ,  H01J9/261 ,  H01J9/385 ,  H01J9/46 ,  H01J11/12

Abstract: 一种向封接的第一基板(1)和第二基板(2)之间填充放电气体而成的等离子体面板的制造方法，其特征在于，具有：通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板(1)在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离的所述第一基板(1)与所述第二基板(2)并进行封接的封接工序。由于在使第一基板与第二基板抵接之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净化。另外，由于将保护膜加热到280℃以上，能够脱离约70％的吸附在保护膜上的杂质气体。