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公开(公告)号：CN101798673B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010116579.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供成膜方法、面板制造装置、退火装置，改善MgO保护膜的结晶取向强度分布。当将基板10的一边作为先头一面搬送一面对MgO膜进行成膜时，基板10的与先头呈直角的两边(两侧边)与两侧边之间的中央相比(111)结晶取向强度变低。当将退火用的加热器38分割为多根细长加热器38a，以基板10的两侧边与中央相比变为高温的方式进行加温时，两侧边的(111)结晶取向强度变高，(111)结晶取向强度的面内分布提高。
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公开(公告)号：CN102119237B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980129084.6
申请日：2009-09-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/30 , H01J9/02 , H01J9/46
Abstract: 本发明提供一种保护膜的形成方法以及该形成装置，为了对构成32英寸以上的平板显示器的基板形成保护膜，无需使装置大型化，无需托架等，维护性优良。一种对32英寸以上的等离子体显示器面板的基板形成保护膜的方法，其特征在于，以在成膜室内的规定的位置使所述基板静止的状态下，与所述基板对置地配置多个蒸发源，对所述各蒸发源照射电子束而进行成膜。
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公开(公告)号：CN110678575B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201880035302.9
申请日：2018-02-19
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明所解决的技术问题为使水蒸气分压稳定，使透明导电膜的膜质更稳定。一种成膜装置，具有第1真空室、气体供给源、成膜源以及控制装置。在上述第1真空室中，维持减压状态、能够送入送出保持基板的载体。上述气体供给源能够对上述第1真空室供给水蒸气气体。上述成膜源配置在上述第1真空室，能够产生形成在上述基板的透明导电膜的材料。上述控制装置在上述透明导电膜形成在上述基板时，将上述第1真空室的水蒸气分压控制在第1分压以上且比上述第1分压高的第2分压以下的范围。
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公开(公告)号：CN102067266B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200980122380.3
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/081 , H01J9/02 , H01J9/20
Abstract: 使保护膜的膜质稳定化。在一边搬送成膜对象物一边使金属氧化物蒸发时，一边对真空槽导入氧、和与氧相比大量的水，一边以静态成膜速度为40nm/秒以上的方式使金属氧化物蒸发。测定使金属氧化物蒸发时的发光强度，将该测定结果对加热装置（电子枪41）的输出进行反馈。因为发光强度与（111）强度等的膜质直接相关，所以能够对结晶取向性、膜密度、光学特性等的膜质良好的保护膜稳定地进行成膜。
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公开(公告)号：CN101681759A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017159.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 一种向封接的第一基板(1)和第二基板(2)之间填充放电气体而成的等离子体面板的制造方法，其特征在于，具有：通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板(1)在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离的所述第一基板(1)与所述第二基板(2)并进行封接的封接工序。由于在使第一基板与第二基板抵接之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净化。另外，由于将保护膜加热到280℃以上，能够脱离约70％的吸附在保护膜上的杂质气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110678575A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035302.9
申请日：2018-02-19
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明所解决的技术问题为使水蒸气分压稳定，使透明导电膜的膜质更稳定。一种成膜装置，具有第1真空室、气体供给源、成膜源以及控制装置。在上述第1真空室中，维持减压状态、能够送入送出保持基板的载体。上述气体供给源能够对上述第1真空室供给水蒸气气体。上述成膜源配置在上述第1真空室，能够产生形成在上述基板的透明导电膜的材料。上述控制装置在上述透明导电膜形成在上述基板时，将上述第1真空室的水蒸气分压控制在第1分压以上且比上述第1分压高的第2分压以下的范围。
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公开(公告)号：CN101669185B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200880008964.3
申请日：2008-03-11
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种使等离子体显示面板内不会混入杂质气体的技术。通过由密合在第一、第二面板(20，30)上的金属膜构成的密闭部(17)来包围发光区域(15)，并且将固定第一、第二面板(20，30)的密封部(41)配置在密闭部(17)的外侧。即使水分透过密封部(41)，也不能透过密闭部(17)，所以水分不会侵入到发光区域(15)内。由于密封部(41)可以透过水分，所以能够采用紫外线固化型树脂，提高作业效率。
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公开(公告)号：CN101669185A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880008964.3
申请日：2008-03-11
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种使等离子体显示面板内不会混入杂质气体的技术。通过由密合在第一、第二面板(20，30)上的金属膜构成的密闭部(17)来包围发光区域(15)，并且将固定第一、第二面板(20，30)的密封部(41)配置在密闭部(17)的外侧。即使水分透过密封部(41)，也不能透过密闭部(17)，所以水分不会侵入到发光区域(15)内。由于密封部(41)可以透过水分，所以能够采用紫外线固化型树脂，提高作业效率。
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公开(公告)号：CN101563479A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780033836.X
申请日：2007-09-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/081 , H01J2211/40
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，使用应用了皮尔斯式电子枪的真空蒸镀装置在被处理基板上形成蒸镀涂层时，使电子束向收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点诱导，使在上述蒸发点的电子束的照射范围最适化，可以以更快的成膜速度形成优良的蒸镀涂层。作为使皮尔斯式电子枪的电子束向收容在真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点偏向并诱导的装置，将形成相对于上述电子束的入射方向大致垂直且相对于上述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场的磁铁装置设在上述电子束照射面的背侧的真空槽外。将永久磁铁用于磁铁装置实现装置的小型化。其结果是，与将电子束偏向装置置于真空槽内的现有的装置相比，真空槽内变得简单。不会产生机械及磁性的干扰，可以将电子束的照射范围最适化。
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公开(公告)号：CN114981470A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009850.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/363
Abstract: 本发明的课题在于实现膜厚分布的均匀化。在成膜方法中，使用至少3个以上的多个旋转靶对基板进行溅射成膜，旋转靶具有中心轴和靶面，并在内部具备能够绕中心轴旋转的磁铁。多个旋转靶配置为中心轴相互平行并且中心轴与基板平行。一边对多个旋转靶通电一边使多个旋转靶各自的磁铁绕中心轴在具有到基板最近的A点的圆弧上移动，一边对基板进行溅射成膜，多个旋转靶内的至少配置在两端的一对旋转靶的磁铁在圆弧上在比A点更远离基板的中心的区域进行成膜的时间比在比A点更靠近基板的中心的区域进行成膜的时间短。
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