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公开(公告)号：CN101223624B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680025436.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/317 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/3053 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/08 , H01J2237/16
Abstract: 本发明能够长寿命地形成稳定的等离子体。本发明的离子源在划分等离子体生成室(14)的由电介质构成的隔壁(15)的外周一侧设置了高频天线(16)，在等离子体生成室(14)内设置了限制膜向与高频天线(16)对置的隔壁(15)内周面附着的、由电介质构成的屏蔽体(26)。由于该结构体用电介质构成，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大。再者，在该屏蔽体(26)中在横切高频天线(16)的卷绕方向的方向上形成了缝隙(26a)。利用该结构，由于可防止对于隔壁的内表面在高频天线的卷绕方向上附着膜连续化，故即使在附着膜是导电性物质的情况下也能有效地抑制高频天线与等离子体生成室之间的感应损耗。
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公开(公告)号：CN110998779B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880053031.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种抑制起因于由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜的异常放电的技术。本发明的离子源具备：真空槽（10A），具有冷却机构；离子生成容器（11），设置在真空槽（10A）内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极（15），设置在真空槽（10A）内，将在离子生成容器（11）内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件（30），设置在真空槽（10A）的内壁（10d）的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽（10A）的内壁（10d）的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部（31）。在遮蔽部件（30）的主体部（31）设置有多个突状的支承部（32），所述支承部（32）与真空槽（10A）的内壁（10d）接触而支承主体部（31），以使主体部（31）相对于真空槽（10A）的内壁（10d）分离而装设。
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公开(公告)号：CN105990076A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610155289.3
申请日：2016-03-18
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及离子束装置、离子注入装置、离子束放出方法。除去堆积于引出电极的反应副生成物，以便能够立即恢复为离子束照射。设定对引出电极（34）施加正电压的正电压期间，在离子源（33）的内部生成电子，从离子源（33）引出电子，使其照射到引出电极（34）来对引出电极（34）进行加热。在真空环境中，反应副生成物层（27）进行蒸发，除去反应副生成物层（27）。向离子源（33）导入清洗气体来生成清洗气体的正离子，设定对引出电极（34）施加负电压的负电压期间，将清洗气体的正离子向引出电极（34）照射，通过溅射或蚀刻反应来除去反应副生成物层（27）也可。
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公开(公告)号：CN109314025B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201780039506.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种令在离子源的离子生成容器中令离子化气体与离子原料反应而生成离子时产生的中间生成物附着到气体供给管的供给侧末端部及内壁面的量尽可能减少的技术。本发明的离子源具有令经由筒状的气体导入管（13）导入到容器中的离子化气体与释放到容器中的离子原料反应以生成离子的离子生成容器（11）。气体导入管（13）构成为通过气体供给管（14）将离子化气体导入至气体导入管（13）的内部空间（13b）。在气体导入管（13）的内部空间（13b）中设置具有冷却并捕集在离子生成容器（11）中产生的中间生成物的冷却捕集部（33）的拆装自如的冷却捕集构件（30）。冷却捕集部（33）在气体导入管（13）的内部空间（13b）的气体供给管（14）的供给侧末端部（14a）附近，配置为不接触气体导入管（13）的内壁面。
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公开(公告)号：CN105990076B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610155289.3
申请日：2016-03-18
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及离子束装置、离子注入装置、离子束放出方法。除去堆积于引出电极的反应副生成物，以便能够立即恢复为离子束照射。设定对引出电极（34）施加正电压的正电压期间，在离子源（33）的内部生成电子，从离子源（33）引出电子，使其照射到引出电极（34）来对引出电极（34）进行加热。在真空环境中，反应副生成物层（27）进行蒸发，除去反应副生成物层（27）。向离子源（33）导入清洗气体来生成清洗气体的正离子，设定对引出电极（34）施加负电压的负电压期间，将清洗气体的正离子向引出电极（34）照射，通过溅射或蚀刻反应来除去反应副生成物层（27）也可。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314025A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780039506.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种令在离子源的离子生成容器中令离子化气体与离子原料反应而生成离子时产生的中间生成物附着到气体供给管的供给侧末端部及内壁面的量尽可能减少的技术。本发明的离子源具有令经由筒状的气体导入管（13）导入到容器中的离子化气体与释放到容器中的离子原料反应以生成离子的离子生成容器（11）。气体导入管（13）构成为通过气体供给管（14）将离子化气体导入至气体导入管（13）的内部空间（13b）。在气体导入管（13）的内部空间（13b）中设置具有冷却并捕集在离子生成容器（11）中产生的中间生成物的冷却捕集部（33）的拆装自如的冷却捕集构件（30）。冷却捕集部（33）在气体导入管（13）的内部空间（13b）的气体供给管（14）的供给侧末端部（14a）附近，配置为不接触气体导入管（13）的内壁面。
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公开(公告)号：CN110100296B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201880005621.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/20 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H05H1/24
Abstract: 提供能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。对细丝20通电而使在腔室21的内部配置的阴极电极22升温，对在阴极电极22的侧方配置的氮化铝的原料块28进行加热，使其与导入的氟化合物气体发生反应而排出氟化铝。使从阴极电极22排出·加速后的热电子在阴极电极22与反射极电极23之间往复移动而将氟化铝气体分解来生成铝离子。得到能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。
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公开(公告)号：CN110998779A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053031.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种抑制起因于由在离子源的离子生成容器内使离子化气体与离子原料反应而生成离子时的副生成物形成的绝缘膜的异常放电的技术。本发明的离子源具备：真空槽（10A），具有冷却机构；离子生成容器（11），设置在真空槽（10A）内，使离子化气体与离子原料反应而生成离子；引出电极（15），设置在真空槽（10A）内，将在离子生成容器（11）内生成的离子引出而生成离子束；以及遮蔽部件（30），设置在真空槽（10A）的内壁（10d）的内侧附近，具有用来将绝缘物对于该真空槽（10A）的内壁（10d）的附着遮挡的由导电性的金属构成的主体部（31）。在遮蔽部件（30）的主体部（31）设置有多个突状的支承部（32），所述支承部（32）与真空槽（10A）的内壁（10d）接触而支承主体部（31），以使主体部（31）相对于真空槽（10A）的内壁（10d）分离而装设。
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公开(公告)号：CN110100296A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201880005621.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/20 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H05H1/24
Abstract: 提供能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。对细丝20通电而使在腔室21的内部配置的阴极电极22升温，对在阴极电极22的侧方配置的氮化铝的原料块28进行加热，使其与导入的氟化合物气体发生反应而排出氟化铝。使从阴极电极22排出·加速后的热电子在阴极电极22与反射极电极23之间往复移动而将氟化铝气体分解来生成铝离子。得到能够生成大量的铝离子的长寿命的离子源。
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公开(公告)号：CN101223624A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680025436.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/317 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/3053 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/08 , H01J2237/16
Abstract: 本发明能够长寿命地形成稳定的等离子体。本发明的离子源在划分等离子体生成室(14)的由电介质构成的隔壁(15)的外周一侧设置了高频天线(16)，在等离子体生成室(14)内设置了限制膜向与高频天线(16)对置的隔壁(15)内周面附着的、由电介质构成的屏蔽体(26)。由于该结构体用电介质构成，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大。再者，在该屏蔽体(26)中在横切高频天线(16)的卷绕方向的方向上形成了缝隙(26a)。利用该结构，由于可防止对于隔壁的内表面在高频天线的卷绕方向上附着膜连续化，故即使在附着膜是导电性物质的情况下也能有效地抑制高频天线与等离子体生成室之间的感应损耗。
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