-
公开(公告)号：CN112204165B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980036620.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C22C21/00 , H01L21/203 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
-
公开(公告)号：CN108300968B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201810009976.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下，TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a)，在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W)，真空处理室真空排气到规定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射，由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜，这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前，将真空处理室内的水分压设为1×10‑5Pa～1×10‑3Pa的范围的工序。
-
公开(公告)号：CN112262222A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201980039161.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C26/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , C22F1/00
Abstract: 本发明的目的在于提供耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜以及具有该铝合金膜的薄膜晶体管。为了达成上述目的，本发明的一种方式的铝合金膜，在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
-
公开(公告)号：CN108300968A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810009976.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下，TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a)，在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W)，真空处理室真空排气到规定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射，由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜，这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前，将真空处理室内的水分压设为1×10-5Pa～1×10-3Pa的范围的工序。
-
公开(公告)号：CN104213085A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410341203.7
申请日：2010-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101871092A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010149872.6
申请日：2010-04-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种反应性溅射方法，可不受靶的边缘区域上形成的绝缘膜的影响而维持高速率成膜。在向溅射室(11)内导入反应气体的同时，向该溅射室内与处理基板S相对设置的导电性靶(41)施加电力，在溅射室内形成等离子体气氛，对各个靶进行溅射，通过反应性溅射在所述处理基板表面形成规定的薄膜。在上述溅射方法中，通过向所述靶施加电力的溅射电源E监视累计投入电力，当该累计值达到规定值时，停止反应气体的导入，仅导入溅射气体对靶进行规定时间的溅射。
-
公开(公告)号：CN101370959A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002218.9
申请日：2007-01-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J2237/0206 , H01J2237/022
Abstract: 提供一种溅射方法及溅射装置，在使用交流电源溅射成膜时，迅速检测出电弧放电的发生并切断交流电源的输出，可减小电弧放电时的能量并有效防止微粒和溅沫的发生。在真空室内11内设置的一对靶41a、41b上，通过交流电源E以规定的频率交替改变极性地施加电压，将各靶交替切换成为阳极电极、阴极电极，在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电形成等离子体气氛，从而对各靶进行溅射。并检测出向一对靶中输出的电压波形，当判断该输出电压波形的电压降时间比正常辉光放电的时间更短时，切断交流电源的输出。
-
公开(公告)号：CN112144026B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010542198.1
申请日：2020-06-15
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明目的是使薄膜的面内的特性分布变得均匀的溅射装置的开闭作业变得容易。在由靶极侧真空槽（11a）与基板侧真空槽（11b）构成的真空槽（11）中，令电极板（28a、28b）的重量支承于靶极侧真空槽（11a），将电极板（28a、28b）配置于靶极13的短边上而缩短靶极（13）与接地电位之间的距离，令基板（16）上的等离子均匀化。基板侧真空槽（11b）的内部被轻量化，所以在令基板侧真空槽（11b）移动而开闭真空槽（11）时，开闭作业变得容易。
-
公开(公告)号：CN108352410B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680063644.2
申请日：2016-11-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。
-
公开(公告)号：CN112204165A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036620.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C22C21/00 , H01L21/203 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.035 seconds)
