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公开(公告)号：CN102131949B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980133226.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L31/202 , C23C14/042 , C23C14/56 , H01L21/02104 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02642 , H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 该掩模包括：平板状的第一部分(44)，具有在相当于基板(11)的成膜区域(S1)的位置形成的开口部(41)和侧部，以平板状的第一部分(44)与所述基板(11)的被成膜面(11a)重叠的方式配置所述基板(11)；第二部分(43)，沿着所述第一部分(44)的所述侧部设置，覆盖所述基板(11)的侧面的至少一部分，在多张所述掩模(40、40a、40b、140、142、240、240a、240b、340、340a、340b)向其侧方排列时，彼此邻接的两张所述掩模的所述第二部分(43)分别互相重合，从而形成重合部(B)。
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公开(公告)号：CN102150281A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135565.8
申请日：2009-09-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/022466 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 该太阳能电池包括：光电转换体，被设置成第一电极层、光电转换层和第二电极层依次重叠在基板上；和纹理层，配置在所述基板和所述第一电极层之间，由在可见光区域透明的材料构成，在与所述第一电极层接触的面具有连续的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN102131949A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133226.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01L31/202 , C23C14/042 , C23C14/56 , H01L21/02104 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02642 , H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 该掩模包括：平板状的第一部分(44)，具有在相当于基板(11)的成膜区域(S1)的位置形成的开口部(41)和侧部，以平板状的第一部分(44)与所述基板(11)的被成膜面(11a)重叠的方式配置所述基板(11)；第二部分(43)，沿着所述第一部分(44)的所述侧部设置，覆盖所述基板(11)的侧面的至少一部分，在多张所述掩模(40、40a、40b、140、142、240、240a、240b、340、340a、340b)向其侧方排列时，彼此邻接的两张所述掩模的所述第二部分(43)分别互相重合，从而形成重合部(B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102047440A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119948.6
申请日：2009-07-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/03762 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/548
Abstract: 一种太阳能电池单元的制造方法，包括：刻划工序，在基板(11)上通过依次层积第一电极层(13)、光电转换层(14)和第二电极层(15)而形成光电转换体(12)之后，形成将光电转换体(12)电分离为多个划分部的槽，在所述刻划工序中，形成第一槽(18)、第二槽(19)、第三槽(24)、以及第四槽(50)，在所述刻划工序之后，具有形成绝缘层(31、51)的绝缘层形成工序以及形成配线层(30)的配线层形成工序，所述配线层(30)从露出于所述第二槽(19)的底面的所述第一电极层(13)，经过所述第二槽(19)的内部和所述绝缘层(31、51)的表面，到达配置在所述第四槽(50)的与所述第二槽(19)相反的一侧的所述第二电极层(15)的表面，电连接所述多个划分部。
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公开(公告)号：CN102265407B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN200980152288.1
申请日：2009-12-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/509 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/5096 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施钝化膜的成膜方法。
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公开(公告)号：CN102265407A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152288.1
申请日：2009-12-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/5096 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种形成钝化膜的成膜方法和成膜装置、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法，所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备：载置部(22)，载置成膜对象；高频电源(25)；以及喷板(23)，设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对，导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压，其中，在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施成膜方法，在形成钝化膜时实施该成膜方法。
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公开(公告)号：CN101971358A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980109023.3
申请日：2009-04-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/028 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 该太阳能电池的制造方法是在导电型为p型或n型的硅基板(1、21)上形成硅层(22、31)，所述硅层(22、31)包含与所述硅基板(1、21)不同导电型的掺杂物，对所述硅层(22、31)进行热处理，以使包含在所述硅层(22、31)中的掺杂物向所述硅基板(1、21)内扩散。
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公开(公告)号：CN101971356A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108730.0
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 该太阳能电池(10)包括：基板(11)，具有光透射性；光电转换体(12)，设置在所述基板(11)上，包括具有光透射性的表面电极(13)、光电转换层(14)和具有光反射性的背面电极(15)；以及低折射导电层(16)，与所述光电转换层(14)相邻，配置在所述光电转换层(14)上与所述基板(11)相反的面上，和与所述基板(11)所面对的所述光电转换层(14)的面相反的面相邻，由具有光透射性的导电材料构成，折射率为2.0以下。
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