公开(公告)号：CN111051566B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201980004037.2

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 芦小丽 ,  新田纯一 ,  中村晃 ,  佐藤美穂

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/10 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种进一步提高溅射效率的溅射靶以及溅射靶的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个实施方式的溅射靶，具有溅射面，其是纯度为99.95wt％以上的钴靶。与沿着所述溅射面的密排六方晶格结构的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(103)面、(112)面以及(004)面相应的X射线衍射峰的强度比(I(002)+I(004))/(I(100)+I(002)+I(101)+I(102)+I(110)+I(103)+I(112)+I(004))为0.85以上。

公开(公告)号：CN111051566A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201980004037.2

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 芦小丽 ,  新田纯一 ,  中村晃 ,  佐藤美穂

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/10 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种进一步提高溅射效率的溅射靶以及溅射靶的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个实施方式的溅射靶，具有溅射面，其是纯度为99.95wt％以上的钴靶。与沿着所述溅射面的密排六方晶格结构的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(103)面、(112)面以及(004)面相应的X射线衍射峰的强度比(I(002)+I(004))/(I(100)+I(002)+I(101)+I(102)+I(110)+I(103)+I(112)+I(004))为0.85以上。