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公开(公告)号：CN110168130B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201780082442.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供成膜方法和卷绕式成膜装置。本发明的一个方式的成膜方法包含预处理，该预处理是对真空容器进行排气直至真空容器内的水分压变成目标值以下的处理。通过向配置在上述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生。在与上述第一铬靶和上述第二铬靶相向配置的挠性基板的成膜面形成铬层。本发明能够抑制挠性基板的变形。
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公开(公告)号：CN110168130A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082442.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供成膜方法和卷绕式成膜装置。本发明的一个方式的成膜方法包含预处理，该预处理是对真空容器进行排气直至真空容器内的水分压变成目标值以下的处理。通过向配置在上述真空容器内的第一铬靶与第二铬靶之间施加交流电压而使等离子体产生。在与上述第一铬靶和上述第二铬靶相向配置的挠性基板的成膜面形成铬层。本发明能够抑制挠性基板的变形。
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公开(公告)号：CN118019875A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280065462.4
申请日：2022-07-06
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够在应力差尽可能小的状态下形成高熔点金属膜，适用于使用筒状靶的情况的成膜方法。在配置于真空处理室(1a)内的基板(Sw)的与各靶(5)相对的面上形成高熔点金属膜的本发明的成膜方法，将基板的两个外缘部分别相对的起点靶(5a、5b)和距离起点靶位于靶并列设置方向外侧的靶(5c、5d)设置为第1靶组(50a)，将距离起点靶位于靶并列设置方向内侧的靶(5e～5h)作为第2靶组(50b)，所述方法包括：第1工序，在对基板的高熔点金属膜的成膜开始时，通过溅射电源(7)向第2靶组的各靶施加电力而成膜；以及第2工序，在停止对第2靶组的各靶施加电力的同时或者在此之前，通过溅射电源向第1靶组的各靶施加电力而成膜。
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