公开(公告)号：CN102324695A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110273300.3

申请日：2009-05-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 石井稔浩 ,  牧田宪吾 ,  轴谷直人 ,  原坂和宏 ,  佐藤俊一 ,  菅原悟

IPC: H01S5/18 ,  G03G15/04 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/18355 ,  G03G15/04072 ,  G03G15/0435 ,  G03G2215/0404 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明公开了表面发射激光器、阵列、光学扫描装置和成像设备，其中所述表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。

公开(公告)号：CN101582563B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910139387.8

申请日：2009-05-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 石井稔浩 ,  牧田宪吾 ,  轴谷直人 ,  原坂和宏 ,  佐藤俊一 ,  菅原悟

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18355 ,  G03G15/04072 ,  G03G15/0435 ,  G03G2215/0404 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。

公开(公告)号：CN101582563A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910139387.8

申请日：2009-05-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 石井稔浩 ,  牧田宪吾 ,  轴谷直人 ,  原坂和宏 ,  佐藤俊一 ,  菅原悟

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/02 ,  H01S5/125 ,  H01S5/42 ,  G02B26/10 ,  G02B26/12 ,  G03G15/00 ,  G03G15/01

CPC classification number: H01S5/18355 ,  G03G15/04072 ,  G03G15/0435 ,  G03G2215/0404 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向 朝向其中一个晶体取向 倾斜。所述半导体层包括：谐振器结构，其包括有源层；和半导体多层镜，其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构，其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕，该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中，在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。