公开(公告)号：CN100440444C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480043885.8

申请日：2004-07-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤隆史 ,  高野纯一 ,  佐藤孝志 ,  内藤德雄

IPC: H01L21/301

Abstract: 在切割装置(1)的外壳(8)的前面和背面设置照射波长为1.1μm以下光的照明设备(7a)、(7b)。然后，在将晶片载置于切割台(3a)上之后，用安装在主轴(5)上的刀片(4a)对晶片进行切割时，通过照明设备(7a)、(7b)将光照射到晶片上面(元件形成面)的整个面上。此时，使晶片的光照度为70勒克司以上2000勒克司以下。据此，在切割工作中就不会由于主轴(5)等而在晶片上形成成为影子的区域。

公开(公告)号：CN101010784A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200480043885.8

申请日：2004-07-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤隆史 ,  高野纯一 ,  佐藤孝志 ,  内藤德雄

IPC: H01L21/301

Abstract: 在切割装置(1)的外壳(8)的前面和背面设置照射波长为1.1μm以下光的照明设备(7a)、(7b)。然后，在将晶片载置于切割台(3a)上之后，用安装在主轴(5)上的刀片(4a)对晶片进行切割时，通过照明设备(7a)、(7b)将光照射到晶片上面(元件形成面)的整个面上。此时，使晶片的光照度为70勒克司以上2000勒克司以下。据此，在切割工作中就不会由于主轴(5)等而在晶片上形成成为影子的区域。