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公开(公告)号：CN1897789B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610101633.7
申请日：1998-12-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H05K1/09 , H01L23/482
CPC classification number: H05K1/181 , B23K1/0016 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/262 , B23K2101/40 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L23/532 , H01L24/29 , H01L2224/83101 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H05K3/3426 , H05K3/3463 , H05K2201/10909 , Y02P70/613 , Y10T29/49144 , Y10T29/49149 , Y10T29/49169 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , H01L2924/00
Abstract: 一种无Pb焊料连接结构和半导体装置，该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Pb焊料的特征在于：作为代表性的无Pb焊料的Sn-Ag-Bi与电极连接，该电极的表面上形成有Sn-Bi层。最好，按照重量百分比计，上述Sn-Bi层中的Bi浓度在1～20％的范围内，以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时，在上述Sn-Bi层的下面形成Cu层，以便获得具有足够高的界面强度的连接部。
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公开(公告)号：CN1976032B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610162907.3
申请日：2006-11-29
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/04 , H01L23/522 , H01L23/485
CPC classification number: H01L23/49844 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/53228 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/49 , H01L27/0255 , H01L27/092 , H01L2224/02166 , H01L2224/05025 , H01L2224/05093 , H01L2224/05095 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/06102 , H01L2224/06133 , H01L2224/06143 , H01L2224/06153 , H01L2224/06163 , H01L2224/49105 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。
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公开(公告)号：CN101446930B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810179481.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G06F13/28
Abstract: 本发明提供一种数据处理装置，设置根据从数据处理部(100)按照其数据处理的每个处理单位输出的请求信号(101)向突发传输请求生成部(200)提供突发传输请求的输出定时的定时生成部(503)，该定时生成部根据从输出上述突发传输请求到激活上述请求信号为止的经过时间和由阈值寄存器的设定阈值规定的时间的大小关系，控制突发传输请求(301)的输出定时。在上述经过时间超过由最大阈值规定的时间的情况下，不等待上述请求信号的激活而向上述突发传输请求生成部提供突发传输请求的输出定时。由此，能够在请求信号的发送延迟时，不等待该信号而先向存储装置提供下一次的突发传输请求。能够防止被称为存储装置“缓冲”的总处理能力的降低。
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公开(公告)号：CN1523842B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200410005938.9
申请日：2004-02-23
Applicant: 大塚宽治 , 宇佐美保 , 冲电气工业株式会社 , 三洋电机株式会社 , 日商·夏普股份有限公司 , 株式会社东芝 , 日本电气株式会社 , 松下电器产业株式会社 , 株式会社瑞萨科技
IPC: H04L25/02 , H03K19/0175
CPC classification number: H04L5/1461
Abstract: 本发明提供一种信号传输装置与互连结构，例如集成电路中用于传输数字信号的装置包括信号传输线，以及在一端或两端处的定向耦合器。定向耦合器阻挡数字信号的直流分量，同时传输包括足够高次谐波的交流分量，以传输清晰的脉冲波形。适当的定向耦合器包括位于具有不同介电常数的材料中的两个相邻线对。该装置也可以包括反相器类型的驱动器，差分放大器类型的接收器，终接电阻器，和用于提供电源到驱动器的电源-地传输线对。全金属传输线结构优选地从驱动器中的输出互连到接收器中的输入互连而保持。
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公开(公告)号：CN101000915B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710003892.0
申请日：2007-01-10
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/743 , H01L23/585 , H01L27/1203 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在采用倒装片工艺等的安装中，能够稳定地将SOI结构的支持基板的电位固定并形成低电阻的基板接触部。其解决手段是：在形成晶体管(Tr)的晶体管形成区(TR)周围，与最上层布线(13)一起沿着芯片周边部形成连接SOI结构的支持基板(1)和最上层布线(13)的多个导电层和多个布线层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1976036B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610172953.1
申请日：2006-10-08
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/11 , H01L23/522 , H01L21/8244 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/11
Abstract: 本发明的半导体器件能够减少SRAM的存储单元的面积。在SRAM单元的布局图中，采用了在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置局部布线(3a)并连接了有源区(1a)和有源区(1b)的结构。由此，就不需要在栅极(2a)和栅极(2b)之间设置触点。因此，能够缩小存储单元区域C的短边方向的尺寸。此外，使栅极(2c)的左端部从栅极(2a)向后退，构成为：在倾斜方向上配置了连接有源区(1b)和栅极(2c)的局部布线(3b)的结构。因此，能够缩小存储单元区域C的长边方向的尺寸。
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公开(公告)号：CN1881810B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610085021.3
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 冈部宽
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04B1/38 , H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/16152 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明提供一种多模式高频电路。在配置了适合多个通信方式的多收发电路的多模式高频电路中，能够实现可降低电路间的信号干扰的多模式高频电路。在处理作为第1通信方式的W-CDMA的RF发送信号的PA(121)、输出匹配电路(123)、隔离器(115)与处理W-CDMA的RF接收信号的接收电路(150)的最短距离间，及PA(121)与W-CDMA的发送电路(130)的最短距离间配置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路的GSM方式的PA(222)、输出匹配电路(223a、223b)。在PA(121)与W-CDMA的级间滤波器(125)的最短距离间配置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路的PA(222)。
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公开(公告)号：CN1866348B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610084419.5
申请日：2006-05-18
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 纳富志信
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/0289 , G09G2330/021
Abstract: 借助于进一步将一个或二个或多个晶体管串联连接在输出电路中的一对晶体管之间，包括借助于将一对输出晶体管串联连接在一对电源电压端子之间，并输出施加到液晶屏的栅信号发生电路的信号，降低了施加在源与漏之间的电压。同时还提供了电位设定转换元件来准备一对电源电压的中间电位，并在输出晶体管被截止的情况下，将此中间电位施加到截止状态的输出晶体管的基体材料。从而可以实现液晶显示驱动用半导体集成电路。因此，借助于用抗压性低的元件来构造用来输出施加到液晶屏的栅信号发生电路的信号的电路，还能够实现低的制造成本，而无须使用抗压性高的工艺。而且，能够改善输出电路的工作速度，并能够降低其功耗。
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公开(公告)号：CN1791836B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200480013212.8
申请日：2004-12-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 田中稔彦
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F7/70441
Abstract: 一种制造具有沿纵向延伸的第一布线图案以及与第一布线图案形状相同并沿与所述纵向垂直的方向即横向延伸的第二布线图案的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：使用线性偏振照明来根据包括用于形成第一布线图案的掩模图案(16)和用于形成第二布线图案的掩模图案(17)的掩模图案进行曝光的步骤；以及在曝光之后形成具有与掩模图案(16，17)对应的形状的第一布线图案和第二布线图案的步骤，其中，用于形成第一布线图案和第二布线图案的掩模图案(16，17)的形状彼此不同。
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公开(公告)号：CN101789392A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010002041.6
申请日：2010-01-07
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B28D5/022 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。
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