公开(公告)号：CN100536119C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610141811.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 吉冈明彦 ,  铃木进也

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2021/60262 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先，在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜，并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此，焊盘小于凸点电极。因此，在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说，在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。

公开(公告)号：CN1945817A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610141811.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 吉冈明彦 ,  铃木进也

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2021/60262 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先，在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜，并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此，焊盘小于凸点电极。因此，在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说，在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。

公开(公告)号：CN101593742A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910159745.1

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 吉冈明彦 ,  铃木进也

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2021/60262 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先，在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜，并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此，焊盘小于凸点电极。因此，在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说，在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。

公开(公告)号：CN101388351A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810168597.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 吉冈明彦 ,  铃木进也

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60232 ,  H01L2021/60262 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种可以减小半导体芯片的尺寸的半导体器件制造技术。首先，在绝缘膜上方形成焊盘和其他导线。在包括焊盘和导线的绝缘膜上方形成表面保护膜，并且在表面保护膜中制作开口。该开口位于焊盘上方并露出该焊盘的表面。在包括开口的表面保护层上方形成凸点电极。在此，焊盘小于凸点电极。因此，在与焊盘的同一层中的凸点电极的正下方布置导线。换句话说，在由于焊盘足够小而变得可用的空间中布置导线。