公开(公告)号：CN101276815A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810009409.4

申请日：2008-02-01

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 樱井智 ,  后藤聪 ,  藤冈彻

IPC: H01L27/06 ,  H01L25/00 ,  H01P5/18

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823425 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01P5/184 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMOSFET将用作半导体芯片的放大部分。因此，预定的漏极导线用作主线，通过经由绝缘膜与所述主线并行布置的副线以及所述主线来配置定向耦合器。

公开(公告)号：CN101794793A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010107742.6

申请日：2010-01-29

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 后藤聪 ,  三宅智之 ,  近藤将夫

IPC: H01L27/12 ,  H04M1/02

CPC classification number: H01L21/823425 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体器件。具体地，为了实现天线开关的成本降低，提供了一种技术，其可以尽可能多地降低在天线开关中产生的谐波失真，特别是在天线开关包括在硅衬底上方形成的场效应晶体管时。TX串联晶体管、RX串联晶体管和RX旁路晶体管中的每一个包括低压MISFET，而TX旁路晶体管包括高压MISFET。由此，通过减小构成TX旁路晶体管的高压MISFET的串行连接的数目，施加于各串联耦合的高压MISFET的电压幅度的不均匀性得以抑制。这样，可以抑制高阶谐波的产生。