公开(公告)号：CN101771048A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910265276.1

申请日：2009-12-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 大西和博 ,  塚本和宏

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/823462 ,  G11C11/412 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在使用阈值电压的绝对值互异的多个金属绝缘体半导体晶体管的情况下，可抑制阈值电压的绝对值较大的金属绝缘体半导体晶体管驱动电流的下降。第二n型金属绝缘体半导体晶体管T2n的阈值电压比第一n型金属绝缘体半导体晶体管T1n的阈值电压大，第二n型金属绝缘体半导体晶体管T2n所具有的第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜H2n中的镧原子浓度与镁原子浓度之和小于第一n型金属绝缘体半导体晶体管T1n所具有的第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜H1n中的镧原子浓度与镁原子浓度之和。