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公开(公告)号:CN1577798A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410059772.9
申请日:2004-06-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨北日本半导体公司
Inventor: 山口嘉彦
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , H01L21/02 , H01L23/12
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/481 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L21/67092 , H01L21/67155 , H01L21/681 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件制造装置包括预对准部分,其具有适合于识别在多阵列基片上形成的识别标记的预对准相机,切割部分,其根据由预对准部分对标记的图象识别获得的信息用切刀切割基片,和xy台,其携带基片。预对准部分根据图象识别预先识别基片上的所有标记,借此确定切割位置,而切割部分仅仅用对准相机识别基片上的几个点。结果,预对准和切割能够同时发生,从而能够提高切割处理的产量。
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公开(公告)号:CN100370595C
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200410059772.9
申请日:2004-06-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨北日本半导体公司
Inventor: 山口嘉彦
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , H01L21/02 , H01L23/12
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/481 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L21/67092 , H01L21/67155 , H01L21/681 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件制造装置包括预对准部分,其具有适合于识别在多阵列基片上形成的识别标记的预对准相机,切割部分,其根据由预对准部分对标记的图象识别获得的信息用切刀切割基片,和xy台,其携带基片。预对准部分根据图象识别预先识别基片上的所有标记,借此确定切割位置,而切割部分仅仅用对准相机识别基片上的几个点。结果,预对准和切割能够同时发生,从而能够提高切割处理的产量。
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公开(公告)号:CN1607637A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN200410080547.3
申请日:2004-09-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4803 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括下述步骤:制作多个产品形成区,每一区在半导体晶片的主表面上具有电路和多个第一电极焊盘;在每一产品形成区中以大于第一电极焊盘的间距布置多个第二电极焊盘;分割半导体晶片以分离多个产品形成区并制作多个半导体器件,每一半导体器件在第一表面上具有电路、多个第一电极焊盘和多个第二电极焊盘;和在制作半导体器件的步骤之后从半导体器件的第一表面上清洁掉异物。
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