公开(公告)号：CN1898620A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038875.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福田惠子 ,  平木充 ,  堀口真志 ,  秋叶武定 ,  市来周藏 ,  角田英树 ,  北川明弘

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 第一电流流过第一晶体管的发射极，而电流密度大于第一电流的第二电流流过第二晶体管的发射极。第一和第二晶体管之间的基极－发射极电压差被施加到第一电阻器上，从而提供恒定电流。第二电阻器被安置在电路的地电位一侧，且与第一电阻器串联连接。第三和第四电阻器被安置在第一和第二晶体管各自的集电极与电源电压之间。第一和第二晶体管的集电极电压被施加到CMOS差分放大电路，从而提供输出电压。此输出电压被施加到第一和第二晶体管的共通基极。

公开(公告)号：CN100498639C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200480038875.5

申请日：2004-12-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福田惠子 ,  平木充 ,  堀口真志 ,  秋叶武定 ,  市来周藏 ,  角田英树 ,  北川明弘

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 第一电流流过第一晶体管的发射极，而电流密度大于第一电流的第二电流流过第二晶体管的发射极。第一和第二晶体管之间的基极-发射极电压差被施加到第一电阻器上，从而提供恒定电流。第二电阻器被安置在电路的地电位一侧，且与第一电阻器串联连接。第三和第四电阻器被安置在第一和第二晶体管各自的集电极与电源电压之间。第一和第二晶体管的集电极电压被施加到CMOS差分放大电路，从而提供输出电压。此输出电压被施加到第一和第二晶体管的共通基极。