公开(公告)号：CN101303984A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810109439.2

申请日：2002-04-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 角义之 ,  内藤孝洋 ,  佐藤俊彦 ,  池上光 ,  菊池隆文

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括下列工序：(a)制备布线衬底，所述布线衬底具有多个封装衬底形成区域、在多个封装衬底形成区域之间形成的分切区域、与多个封装衬底形成区域和分切区域连续地形成的多个布线、以及分别与多个布线电连接的多个键合焊盘；(b)在工序(a)之后，去除形成在分切区域中的多个布线；(c)在工序(b)之后，在多个封装衬底形成区域上方分别安装多个半导体芯片，该多个半导体芯片的每个具有主面和形成在该主面上的多个电极；(d)在工序(c)之后，将多个电极分别与多个键合焊盘电连接；(e)在工序(d)之后，用树脂密封多个半导体芯片；以及(f)在工序(e)之后，使用分切刀片来切割分切区域。

公开(公告)号：CN100407422C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN02811441.8

申请日：2002-04-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 角义之 ,  内藤孝洋 ,  佐藤俊彦 ,  池上光 ,  菊池隆文

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。在安装于多芯片模块(MCM)的封装衬底(1)上的三个芯片(2A)、(2B)和(2C)中，其上形成DRAM的芯片(2A)和其上形成快速存储器的芯片(2B)通过Au凸点(4)与封装衬底(1)的布线(5)电连接，并且在芯片(2A)和(2B)的主面(下表面)和封装衬底(1)的主面之间的间隙中填充下填树脂(6)。在两个芯片(2A)和(2B)上安装其上形成高速微处理器的芯片(2C)，并且该芯片(2C)通过Au引线(8)与封装衬底(1)的键合焊盘(9)电连接。

公开(公告)号：CN1516898A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02811441.8

申请日：2002-04-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 角义之 ,  内藤孝洋 ,  佐藤俊彦 ,  池上光 ,  菊池隆文

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。在安装于多芯片模块(MCM)的封装衬底(1)上的三个芯片(2A)、(2B)和(2C)中，其上形成DRAM的芯片(2A)和其上形成快速存储器的芯片(2B)通过Au凸点(4)与封装衬底(1)的布线(5)电连接，并且在芯片(2A)和(2B)的主面(下表面)和封装衬底(1)的主面之间的间隙中填充下填树脂(6)。在两个芯片(2A)和(2B)上安装其上形成高速微处理器的芯片(2C)，并且该芯片(2C)通过Au引线(8)与封装衬底(1)的键合焊盘(9)电连接。