公开(公告)号：CN101515474A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910004761.3

申请日：2009-02-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新田文彦 ,  饭田好和 ,  山木贵志

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/06 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供一种具备电阻性存储元件的半导体装置。其中，相变存储器包括：包含根据电阻值的水平随相变发生的变化来存储数据的相变元件(6)的存储单元；在写入动作时，响应写入数据的逻辑而使相变元件(6)处于非结晶状态或结晶状态的写入电路(2)；在读出动作时，读出相变元件(6)的存储数据的读出电路(3)；以及在放电动作时，对相变元件(6)施加放电电压，除去相变元件(6)捕获的电子的放电电路(4)。因而，可抑制相变元件(6)的电阻值变动。