公开(公告)号：CN1862818B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610080240.2

申请日：2006-05-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 鸟居克裕

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有MIM(金属绝缘体金属)结构的电容器，包括形成在电极沟槽的内部中的下电极、形成在下电极上方的介电膜和形成在介电膜上方的上电极，其中电极沟槽形成在层间绝缘膜中。上电极和介电膜都形成有大于下电极面积的面积，使得整个下电极定位于上电极和介电膜的内部。提高了电容器的可靠性和生产产量。

公开(公告)号：CN1929124A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610115987.7

申请日：2006-08-22

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 鸟居克裕 ,  松尾修志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种能够通过防止最上级互连之间的短路故障来提高使用WPP的半导体器件的可靠性的技术。在本发明中，在最上级互连与再分布互连之间形成缓冲层。最上级互连由铜膜制成，而缓冲层由铝膜制成。再分布互连由铜膜和镍膜的叠置膜制成。在这样一种半导体器件中，当执行低温与高温之间的温度循环时，应力集中发生在三重点上。缓冲层的存在缓和了三重点上的应力集中，因此可以抑制应力到三重点正下方的界面的传递。由此可以防止由于界面处的应力而引起的剥离。

公开(公告)号：CN1862818A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080240.2

申请日：2006-05-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 鸟居克裕

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有MIM(金属绝缘体金属)结构的电容器，包括形成在电极沟槽的内部中的下电极、形成在下电极上方的介电膜和形成在介电膜上方的上电极，其中电极沟槽形成在层间绝缘膜中。上电极和介电膜都形成有大于下电极面积的面积，使得整个下电极定位于上电极和介电膜的内部。提高了电容器的可靠性和生产产量。