公开(公告)号：CN1790167A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118841.3

申请日：2005-10-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石桥健夫 ,  齐藤隆幸 ,  伊藤麻矢 ,  中尾修治

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 本发明获得可高精度形成包含栅格图案和通常图案的光刻胶图案的图案形成方法。首先，采用2灯照明，仅仅将栅格图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第1曝光处理。接着，仅仅将通常图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第2曝光处理。然后，进行显影处理，获得光刻胶图案。上述第1曝光处理用的掩模中，通常图案形成区域对应的通常图案用掩模部在整个面用遮光图案形成，第2曝光处理用的掩模中，栅格图案形成区域对应的栅格图案用掩模部在整个面用遮光图案形成。

公开(公告)号：CN100565347C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200510118841.3

申请日：2005-10-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石桥健夫 ,  齐藤隆幸 ,  伊藤麻矢 ,  中尾修治

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 本发明获得可高精度形成包含栅格图案和通常图案的光刻胶图案的图案形成方法。首先，采用2灯照明，仅仅将栅格图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第1曝光处理。接着，仅仅将通常图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第2曝光处理。然后，进行显影处理，获得光刻胶图案。上述第1曝光处理用的掩模中，通常图案形成区域对应的通常图案用掩模部在整个面用遮光图案形成，第2曝光处理用的掩模中，栅格图案形成区域对应的栅格图案用掩模部在整个面用遮光图案形成。

公开(公告)号：CN1523657A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410002759.X

申请日：2004-01-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 齐藤隆幸

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明可提高沟渠形成用抗蚀图案的尺寸控制性。在覆盖Cu配线1的层间绝缘膜2内，形成与Cu配线1连接的通孔3。通过电解在通孔3内填充导电性高分子4。在层间绝缘膜2上通过照片制版形成抗蚀图案5，通过以抗蚀图案5为掩模的蚀刻，形成与通孔3连接的沟渠6。然后，除去抗蚀图案5及导电性高分子4。