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公开(公告)号：CN114986383A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210182363.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B53/017 , B24B27/00 , B24B7/22 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种可获得所需的膜厚轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨单元(14a)；测量基板(W)的膜厚轮廓的膜厚测量器(8)；及至少控制研磨单元和膜厚测量器的动作的控制装置(30)。控制装置预先存储有考虑随着各压力室(7a～7h)内的压力变化而基板的多个监视区域相互间产生的研磨量的变化制作而成的反应模型。再者，控制装置使用膜厚测量器取得基板研磨前的膜厚轮廓，并以依据研磨前的基板的膜厚轮廓与基板的目标膜厚的差值及反应模型制作而成的最佳研磨方案来研磨基板。下一个基板则以依据下一个基板的目标研磨量与使用最佳研磨方案及前一个基板在研磨前后的膜厚轮廓而修正的反应模型制作而成的新的最佳研磨方案来研磨。
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公开(公告)号：CN109746823A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811306978.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/27 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够在不改变膜厚传感器的测定周期且不增大测定数据量的情况下提高膜厚测定的空间分辨率的研磨方法及研磨装置。研磨方法使配置于距研磨台(3)的中心(O)相同的距离处的第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)与研磨台(3)一起旋转，一边通过研磨头(1)将基板(W)按压于旋转的研磨台(3)上的研磨垫(2)而对该基板(W)的表面进行研磨，一边由第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)生成表示在基板(W)的表面上的、距基板(W)的中心的距离不同的测定点处的膜厚的信号值，基于第一膜厚传感器(7a)及第二膜厚传感器(7b)所生成的信号值，控制从研磨头(1)施加于基板(W)的研磨压力。
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公开(公告)号：CN118254109A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311818664.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/00 , B24B37/10 , B24B7/22 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种能够更适当地计算出研磨部件的切削速率的基板研磨装置、基板处理装置、校正方法及存储介质。基板研磨装置具备：高度检测部，该高度检测部测定研磨部件的表面高度；以及切削速率计算部，该切削速率计算部基于表面高度来计算研磨部件的切削速率，在计算出的本次的切削速率在搜索范围外的情况下，切削速率计算部基于过去计算出的切削速率来校正本次的切削速率。
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公开(公告)号：CN112936090A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011422501.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。
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公开(公告)号：CN112936090B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202011422501.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B49/12 , B24B37/005 , B24B57/02 , H01L21/66 , G06F18/23 , G06N3/0499 , G06N3/088 , G06V10/762
Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118254110A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311818669.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/00 , B24B37/10 , B24B7/22 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种更适当地控制修整器的移动速度的基板研磨装置、基板处理装置、修整器的移动方法及存储介质。基板研磨装置具备：修整器，该修整器在设定于研磨部件上的多个扫描区域中移动；以及移动速度计算部，该移动速度计算部基于评价指标来计算各扫描区域的修整器的移动速度，该评价指标包含与基于上一次制程的修整器的各扫描区域中的停留时间的偏差。
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公开(公告)号：CN109702560B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201811234579.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B1/00 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够获取膜厚的测定点的实际位置，并且能够将最佳的研磨压力施加到晶片等基板的研磨装置和研磨方法。在基板(W)的研磨过程中，基板检测传感器(8)以及膜厚传感器(7)一边横穿基板(W)的表面，一边基板检测传感器(8)以预先设定的周期生成基板检测信号，且膜厚传感器(7)在规定的测定点生成膜厚信号，根据基板检测信号的数量，计算出基板(W)的中心相对于研磨头(1)的中心的偏心角，并且基于偏心角修正规定的测定点的位置，基于规定的测定点的修正后的位置和膜厚信号，对研磨头(1)按压基板(W)的研磨压力进行控制。
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公开(公告)号：CN109702560A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811234579.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B1/00 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种能够获取膜厚的测定点的实际位置，并且能够将最佳的研磨压力施加到晶片等基板的研磨装置和研磨方法。在基板(W)的研磨过程中，基板检测传感器(8)以及膜厚传感器(7)一边横穿基板(W)的表面，一边基板检测传感器(8)以预先设定的周期生成基板检测信号，且膜厚传感器(7)在规定的测定点生成膜厚信号，根据基板检测信号的数量，计算出基板(W)的中心相对于研磨头(1)的中心的偏心角，并且基于偏心角修正规定的测定点的位置，基于规定的测定点的修正后的位置和膜厚信号，对研磨头(1)按压基板(W)的研磨压力进行控制。
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公开(公告)号：CN118848807A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410499816.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是研磨方法、储存有使计算机动作用的程序的计算机可读取的记录介质及研磨装置，提出一种不需要事先对参照晶片进行研磨，能够一边研磨工件一边获取该工件的相对膜厚轮廓的技术。本研磨方法在工件(W)的研磨过程中，通过在工件(W)上的两点(R、M)反复生成参照光谱和监视光谱来制作参照光谱历史和监视光谱历史，计算作为最近的监视光谱与参照光谱历史内的多个参照光谱的差的多个参照历史差，计算作为最近的参照光谱与监视光谱历史内的多个监视光谱的差的多个监视历史差，基于参照历史差或监视历史差的最小点，计算监视点(M)与参照点(R)之间的膜厚差。
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公开(公告)号：CN117177839A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029035.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
Abstract: 本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。
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