-
公开(公告)号:CN116352597A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202211673903.7
申请日:2022-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及研磨方法,能够防止设置于研磨垫的透明窗的内表面上的结露,并能够测定准确的膜厚。研磨装置具备:研磨垫(2),该研磨垫具有研磨面(2a);研磨头(1),该研磨头用于将工件(W)按压于研磨面(2a);透明窗(33),该透明窗配置在研磨垫(2)内;研磨台(3),该研磨台支承研磨垫(2);光学式传感器头(32),该光学式传感器头配置在透明窗(33)的下方,用于通过透明窗(33)而将光引导至工件(W),并通过透明窗(33)来接收来自工件(W)的反射光;以及冷却装置(63),该冷却装置用于对透明窗(33)与光学式传感器头(32)之间的空间(60)进行冷却。
-
公开(公告)号:CN119260593A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202410884955.1
申请日:2024-07-03
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够使存在于研磨垫的透明窗与光学传感器头之间的空间内的光路稳定,达成工件的正确的膜厚测定的研磨装置及透明液填充方法。研磨装置具备:具有允许光透过的透明窗(4)的研磨垫(2);支承研磨垫(2)的研磨台(3);将工件(W)按压于研磨垫(2)的研磨头(1);以及具有配置于透明窗(4)的下方的光学传感器头(25)的光学膜厚测定系统(20),形成于透明窗(4)与光学传感器头(25)之间的空间(32)充满透明液。
-
公开(公告)号:CN108344897A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810064597.4
申请日:2018-01-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D17/08 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/005 , C25D17/06 , C25D21/12 , H01L21/6723 , H01L21/68785 , G01R27/02 , H01L21/4846 , H01L21/67011
Abstract: 为了能够检测基板架的原因而导致的电阻的异常,提供一种用于测定基板架的电阻的电阻测定模块,所述基板架具有用于向被保持的基板供给电流的、能够与基板接触的电接点,所述基板架能够保持用于测定所述基板架的电阻的检查用基板,所述基板架构成为在保持检查用基板的状态下,所述电接点与所述检查用基板接触,所述电阻测定模块具有:能够与保持于所述基板架的检查用基板接触的检查探测器;以及用于对经由检查用基板而在所述电接点与所述探测器之间流动的电流的电阻值进行测定的电阻测定器。根据该电阻测定模块,能够测定基板架的电阻,能够检测基板架的电接点或电路径的异常。
-
公开(公告)号:CN114762954A
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202210035363.3
申请日:2022-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/304
Abstract: 提供一种能够获取正确的膜厚分布信息的研磨装置、研磨方法及输出基板的膜厚分布的可视化信息的方法。该研磨装置具备研磨台(3)、多个膜厚传感器(60)以及控制装置(9)。控制装置(9)基于测定出的膜厚信息来确定基板的切口位置,并且对基板的膜厚分布信息进行解析而输出以切口位置为基准位置的膜厚分布的可视化信息。
-
公开(公告)号:CN203474939U
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201320224026.5
申请日:2013-04-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本实用新型的电镀装置,在对半导体晶片等被电镀体(基板)进行电镀的情况下,即使在高电流密度的条件下也能形成前端形状平坦的凸起或形成具有良好的面内均匀性的金属膜。该电镀装置具有:电镀槽(10),其保持电镀液(Q);阳极(26),其被浸泡配置在所述电镀槽内的电镀液中;保持架(24),其保持被电镀体(W)且配置在与阳极对置的位置;搅拌闸板(32),其配置在阳极与由保持架保持的被电镀体之间并以与该被电镀体平行地往复移动的方式来搅拌电镀液;控制部,其对驱动搅拌闸板的搅拌闸板驱动部进行控制,控制部对搅拌闸板驱动部进行控制,以使搅拌闸板的移动速度的绝对值的平均值为70~100cm/sec。
-
-
-
-