公开(公告)号：CN100358114C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200310121267.8

申请日：2003-12-17

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  滝沢功

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4061 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/128 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成穿透电极的方法，其中导电物质被置入一微孔中，该微孔只有一端被由导电物质形成的布线和垫片封住，而布线和垫片没有破损。在形成穿透电极的方法中，导电物质被置入微孔中，所述微孔穿透基片且一个开口被导电薄膜封住。在支撑导电薄膜的保护元件在基片的导电薄膜侧的表面上配置之后，导电物质从微孔的另一开口置入。

公开(公告)号：CN1516241A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310121267.8

申请日：2003-12-17

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 山本敏 ,  滝沢功

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4061 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/128 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成穿透电极的方法，其中导电物质被置入一微孔中，该微孔只有一端被由导电物质形成的布线和垫片封住，而布线和垫片没有破损。在形成穿透电极的方法中，导电物质被置入微孔中，所述微孔穿透基片且一个开口被导电薄膜封住。在支撑导电薄膜的保护元件在基片的导电薄膜侧的表面上配置之后，导电物质从微孔的另一开口置入。