公开(公告)号：CN100592468C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710006705.4

申请日：2007-02-02

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 金山幸司 ,  金冈雅 ,  宫城聪 ,  茂森和士 ,  安田周一 ,  滨田哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306

Abstract: 一种基板处理装置，具有：分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、抗蚀盖膜用处理区、抗蚀盖膜除去区、清洗/干燥处理区以及接口区。以与基板处理装置的接口区相邻的方式配置有曝光装置。在曝光装置中，通过浸液法来进行基板的曝光处理。在清洗/干燥处理区的端部清洗单元中，清洗刷与旋转的基板的端部相抵接，来清洗曝光处理前的基板的端部。此时，修正基板的清洗位置。

公开(公告)号：CN101136315A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148349.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 宫城聪 ,  金冈雅 ,  滨田哲也 ,  茂森和士 ,  安田周一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/31058 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67706

Abstract: 一种基板处理装置，其包括反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、抗蚀覆盖膜用处理区。在各个处理区中，在基板上形成反射防止膜、抗蚀膜和抗蚀覆盖膜。而且，将形成在基板的周缘部上的膜除去。通过将能够对膜进行溶解并除去的除去液供给到旋转的基板的周缘部上，实施形成在基板周缘部上膜的除去处理。在对膜的周缘部进行除去时，对基板的位置进行校正，以使得使基板的中心和旋转轴的中心一致。

公开(公告)号：CN100495639C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200710001774.6

申请日：2007-01-16

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 滨田哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/67225 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有接口区。相邻于接口区而配置有曝光装置。接口区包括第一以及第二清洗/干燥处理单元。在第一清洗/干燥处理单元中，对曝光处理前的基板进行清洗以及干燥处理；在第二清洗/干燥处理单元中，对曝光处理后的基板进行清洗以及干燥处理。

公开(公告)号：CN100433252C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610128106.5

申请日：2006-09-04

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 滨田哲也

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/70991

Abstract: 本发明涉及一种对已进行曝光处理的衬底进行处理的设备及方法。在这种衬底处理设备中，已通过曝光装置进行曝光处理的衬底被传输至清洗处理装置中。调整清洗处理装置中已曝光衬底的存在时间(更具体地，等待时间或清洗时间)，以调整清洗处理结束的时刻，从而提供曝光处理完成时刻与清洗处理结束时刻之间的恒定时间间隔。上述调整提供曝光处理完成时刻与曝光后烘烤处理开始时刻之间的恒定时间间隔，还提供清洗处理完成时刻与曝光后烘烤处理开始时刻之间的恒定时间间隔。这实现了在使用化学放大抗蚀剂时形成的图案的线宽均匀性的进一步提高。