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公开(公告)号：CN114914153A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210078435.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , B23K26/00
Abstract: 本发明提供剥离装置，其能够抑制装置尺寸的庞大化，并且能够从形成有剥离层的锭有效地剥离晶片。剥离装置包含：锭保持单元，其使要制造的晶片朝上而对SiC锭(1)进行保持；超声波振荡单元，其按照与锭保持单元所保持的SiC锭面对的方式配设，并振荡出超声波；以及液体提供单元，其向要制造的晶片与超声波振荡单元之间提供液体。超声波振荡单元包含超声波振子和壳体部件，该壳体部件具有底面，该底面形成为具有与希望赋予超声波的面积同等或更大的面积。
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