公开(公告)号：CN104233299B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201410269845.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 石崎隼郎 ,  大宫大辅

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及蚀刻液组合物和蚀刻方法。[课题]本发明的目的在于提供蚀刻液组合物和使用其的蚀刻方法，在将包含钛系膜和铜系膜的层叠膜的一起蚀刻中，可得到期望宽度的细线，另外，可得到优选的剖面形状的细线。[解决手段]本发明涉及一种蚀刻液组合物，其用于将包含钛系膜和铜系膜的层叠膜一起蚀刻，其特征在于，包括水溶液，所述水溶液含有：(A)过氧化氢：0.1～15质量％；(B)氟离子供给源：0.02～2质量％；(C)有机羧酸：5～60质量％；和(D)选自唑系化合物和在结构中具有含1个以上氮原子且含3个双键的6元杂环的化合物中的至少1种化合物：0.01～5质量％。

公开(公告)号：CN104233299A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410269845.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 石崎隼郎 ,  大宫大辅

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明涉及蚀刻液组合物和蚀刻方法。[课题]本发明的目的在于提供蚀刻液组合物和使用其的蚀刻方法，在将包含钛系膜和铜系膜的层叠膜的一起蚀刻中，可得到期望宽度的细线，另外，可得到优选的剖面形状的细线。[解决手段]本发明涉及一种蚀刻液组合物，其用于将包含钛系膜和铜系膜的层叠膜一起蚀刻，其特征在于，包括水溶液，所述水溶液含有：(A)过氧化氢：0.1～15质量％；(B)氟离子供给源：0.02～2质量％；(C)有机羧酸：5～60质量％；和(D)选自唑系化合物和在结构中具有含1个以上氮原子且含3个双键的6元杂环的化合物中的至少1种化合物：0.01～5质量％。

公开(公告)号：CN110383430A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880016111.8

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 大宫大辅

IPC: H01L21/308

Abstract: 提供即使不含氯化氢，蚀刻所产生的窄化宽度也较少，能够形成直线性良好且具有期望宽度的细线的对氧化铟系层的蚀刻有用的蚀刻液组合物。用于蚀刻氧化铟系层的蚀刻液组合物。含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％；(D)卤化物离子供给源(其中，不包括氟化物离子供给源)0.00001～0.1质量％；(E)氟化物离子供给源0.001～1质量％；和水。

公开(公告)号：CN108028198A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680049206.0

申请日：2016-08-23

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 石崎隼郎 ,  大宫大辅

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53257

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物能够对具有包含钛系层以及铜系层的层叠体的被蚀刻材料的钛系层以及铜系层一并进行蚀刻，即使连续使用，也能得到所期望的剖面形状的细线。为了达成上述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液组合物的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢0.1～15质量％；(B)氟化物离子供给源0.01～1质量％；(C)以有机磺酸换算计，由下述通式(I)表示的有机磺酸化合物或其盐0.1～20质量％；(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01～5质量％以及(E)水。(式中，R表示碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的羟基烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数6～10的羟基芳基。)。

公开(公告)号：CN112867812A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980068224.7

申请日：2019-10-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋尾佳秀 ,  大宫大辅 ,  青木珠美

IPC: C23F1/30 ,  H05K3/06

Abstract: 提供能够以更快的速度蚀刻含银材料、且能够形成腹部的窄化宽度少的细线的含银材料用蚀刻液组合物、以及使用其的蚀刻方法。一种用于蚀刻含银材料的蚀刻液组合物、以及具有使用该蚀刻液组合物对含银材料进行蚀刻的工序的蚀刻方法。蚀刻液组合物含有(A)过氧化氢0.1～30质量％、(B)有机羧酸盐0.05～60质量％和水，pH为2.5以上。

公开(公告)号：CN108780747A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019215.X

申请日：2017-03-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 大宫大辅 ,  青木珠美

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种蚀刻液组合物，其即使不含有氯化氢，也对于能形成下述细线的氧化铟系层的蚀刻有用，所述细线由蚀刻导致的变细宽度少、直线性良好且具有期望的宽度，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)(C-1)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％、或(C-2)氨基酸化合物0.01～20质量％；及水。

公开(公告)号：CN110383430B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880016111.8

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 大宫大辅

IPC: H01L21/308

Abstract: 提供即使不含氯化氢，蚀刻所产生的窄化宽度也较少，能够形成直线性良好且具有期望宽度的细线的对氧化铟系层的蚀刻有用的蚀刻液组合物。用于蚀刻氧化铟系层的蚀刻液组合物。含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％；(D)卤化物离子供给源(其中，不包括氟化物离子供给源)0.00001～0.1质量％；(E)氟化物离子供给源0.001～1质量％；和水。

公开(公告)号：CN108028198B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201680049206.0

申请日：2016-08-23

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 石崎隼郎 ,  大宫大辅

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物能够对具有包含钛系层以及铜系层的层叠体的被蚀刻材料的钛系层以及铜系层一并进行蚀刻，即使连续使用，也能得到所期望的剖面形状的细线。为了达成上述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液组合物的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢0.1～15质量％；(B)氟化物离子供给源0.01～1质量％；(C)以有机磺酸换算计，由下述通式(I)表示的有机磺酸化合物或其盐0.1～20质量％；(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01～5质量％以及(E)水。(式中，R表示碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的羟基烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数6～10的羟基芳基。)。

公开(公告)号：CN108780747B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201780019215.X

申请日：2017-03-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 大宫大辅 ,  青木珠美

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种蚀刻液组合物，其即使不含有氯化氢，也对于能形成下述细线的氧化铟系层的蚀刻有用，所述细线由蚀刻导致的变细宽度少、直线性良好且具有期望的宽度，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)(C‑1)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％、或(C‑2)氨基酸化合物0.01～20质量％；及水。