公开(公告)号：CN108780747B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201780019215.X

申请日：2017-03-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 大宫大辅 ,  青木珠美

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种蚀刻液组合物，其即使不含有氯化氢，也对于能形成下述细线的氧化铟系层的蚀刻有用，所述细线由蚀刻导致的变细宽度少、直线性良好且具有期望的宽度，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)(C‑1)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％、或(C‑2)氨基酸化合物0.01～20质量％；及水。

公开(公告)号：CN109844910B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201780064257.5

申请日：2017-10-10

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 青木珠美 ,  正元祐次 ,  斋尾佳秀 ,  石崎隼郎

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/18

Abstract: 提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。

公开(公告)号：CN108352318B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201680061536.1

申请日：2016-08-22

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 正元祐次 ,  斋尾佳秀 ,  青木珠美

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明的蚀刻液组合物用于含有铜系层的被膜的蚀刻。该蚀刻液组合物由含有如下成分的水溶液形成：(A)选自三价铁离子以及二价铜离子中的至少一种氧化剂0.1～30质量％；(B)氯化氢0.1～20质量％；以及(C)1,3‑二羟基苯0.01～25质量％。另外，本发明的蚀刻方法使用该蚀刻液组合物来对形成于基体上的含有铜系层的被膜进行蚀刻。根据本发明的蚀刻液组合物以及蚀刻方法，稳定性高，难以产生沉淀物，并且可形成具有所期望的尺寸精度的布线图案。

公开(公告)号：CN109844910A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201780064257.5

申请日：2017-10-10

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 青木珠美 ,  正元祐次 ,  斋尾佳秀 ,  石崎隼郎

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/18

Abstract: 提供一种用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，其蚀刻所产生的细线的细化宽度小，细线上部处的1～5μm左右的大小的缺口的发生被抑制，能形成具有期望宽度的细线。一种蚀刻液组合物，其为用于对铜系层进行蚀刻的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.1～35质量％；(B)羟基烷烃磺酸0.1～20质量％；(C)选自唑系化合物、和结构中具备包含1个以上氮原子且具有3个双键的六元杂环的化合物中的至少1种化合物0.01～1质量％；和，水，所述蚀刻液组合物的25℃下的pH为0.1～4的范围内。

公开(公告)号：CN112867812A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980068224.7

申请日：2019-10-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 斋尾佳秀 ,  大宫大辅 ,  青木珠美

IPC: C23F1/30 ,  H05K3/06

Abstract: 提供能够以更快的速度蚀刻含银材料、且能够形成腹部的窄化宽度少的细线的含银材料用蚀刻液组合物、以及使用其的蚀刻方法。一种用于蚀刻含银材料的蚀刻液组合物、以及具有使用该蚀刻液组合物对含银材料进行蚀刻的工序的蚀刻方法。蚀刻液组合物含有(A)过氧化氢0.1～30质量％、(B)有机羧酸盐0.05～60质量％和水，pH为2.5以上。

公开(公告)号：CN108780747A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019215.X

申请日：2017-03-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 大宫大辅 ,  青木珠美

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种蚀刻液组合物，其即使不含有氯化氢，也对于能形成下述细线的氧化铟系层的蚀刻有用，所述细线由蚀刻导致的变细宽度少、直线性良好且具有期望的宽度，所述蚀刻液组合物含有：(A)过氧化氢0.01～15质量％；(B)硫酸1～40质量％；(C)(C-1)下述通式(1)(R1、R2和R3：氢、碳原子数1～8的烷基等)所示的酰胺化合物0.01～10质量％、或(C-2)氨基酸化合物0.01～20质量％；及水。

公开(公告)号：CN108352318A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680061536.1

申请日：2016-08-22

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 正元祐次 ,  斋尾佳秀 ,  青木珠美

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H05K3/06

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明的蚀刻液组合物用于含有铜系层的被膜的蚀刻。该蚀刻液组合物由含有如下成分的水溶液形成：(A)选自三价铁离子以及二价铜离子中的至少一种氧化剂0.1～30质量％；(B)氯化氢0.1～20质量％；以及(C)1,3-二羟基苯0.01～25质量％。另外，本发明的蚀刻方法使用该蚀刻液组合物来对形成于基体上的含有铜系层的被膜进行蚀刻。根据本发明的蚀刻液组合物以及蚀刻方法，稳定性高，难以产生沉淀物，并且可形成具有所期望的尺寸精度的布线图案。