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公开(公告)号:CN110785469B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN201880040426.6
申请日:2018-08-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/29 , H01L21/683 , H01L21/67 , B32B27/08 , B32B27/40 , B32B27/20 , H01B1/12 , C09J163/00
Abstract: 本发明涉及切割管芯接合膜和使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法,所述切割管芯接合膜包括:基底;形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层;形成在所述抗静电层上的粘着层;以及形成在所述粘着层上的粘合层。
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公开(公告)号:CN110785469A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201880040426.6
申请日:2018-08-30
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/29 , H01L21/683 , H01L21/67 , B32B27/08 , B32B27/40 , B32B27/20 , H01B1/12 , C09J163/00
Abstract: 本发明涉及切割管芯接合膜和使用所述切割管芯接合膜的半导体晶片的切割方法,所述切割管芯接合膜包括:基底;形成在所述基底上并且包含脂族或脂环族聚氨酯树脂和导电填料的抗静电层;形成在所述抗静电层上的粘着层;以及形成在所述粘着层上的粘合层。
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公开(公告)号:CN107534020A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680023097.5
申请日:2016-09-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/482 , H01L23/532 , C09J7/00
Abstract: 本发明涉及在110℃下的触变指数为1.5至7.5的粘合膜,其用于固定第一半导体器件和第二半导体器件,所述第一半导体器件的面积与所述第二半导体器件的面积之比为0.65或更小;使用所述粘合膜来制备半导体器件的方法;以及半导体器件。
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公开(公告)号:CN106414641A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201580005577.4
申请日:2015-12-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/14 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/02 , H01L23/29
CPC classification number: C09J133/14 , C08L2201/08 , C08L2205/02 , C08L2205/03 , C09J7/22 , C09J7/255 , C09J7/38 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J2201/122 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/11 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L23/295 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08K7/18
Abstract: 本发明涉及一种用于接合半导体的粘合性树脂组合物,包括:具有低吸湿率的热塑性树脂、包含联苯类环氧树脂的环氧树脂、以及包含酚树脂的固化剂,其中在所述粘合性树脂组合物的固体含量中所述联苯类环氧树脂的含量为5重量%至25重量%;一种包括所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的固化产物的粘合膜;一种切割晶片接合膜,包含:基底膜、形成于所述基底膜上的压敏粘合层以及形成于所述压敏粘合层上且包含所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的粘合层;以及一种包括所述粘合膜的半导体装置。
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公开(公告)号:CN111655811B
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN201980009388.2
申请日:2019-04-11
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/20 , C09J7/22 , C09J133/14 , C09J133/08 , H01L21/18
Abstract: 本公开内容涉及用于暂时附接的粘合剂片以及用于使用其制造半导体器件的方法,所述粘合剂片耐热性优异,并且即使当在半导体制造过程期间经受高温过程时也可以实现足够的粘合强度,并且在剥离步骤中可以表现出足够的由光固化引起的粘合强度降低。
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公开(公告)号:CN108012564B
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN201780002987.2
申请日:2017-03-28
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/14 , C09J11/04 , C09J133/10 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J7/20 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件,其包括:形成在被粘物上的第一半导体元件;以及用于包埋第一半导体元件的粘合剂膜,其中粘合剂膜在高温下满足熔体粘度与重量损失率之间的预定比。
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