公开(公告)号：CN101573601B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200780035529.5

申请日：2007-09-04

Applicant: 格伦德福斯管理联合股份公司

Inventor： 格特·弗里斯·埃里克森 ,  罗格·德雷乌斯 ,  卡斯滕·克里斯滕森

IPC: G01L19/06 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  H01L29/8605

Abstract: 一种用于传感器、特别是用于压力或差压传感器的半导体器件，其由半导体衬底(1)构成，在所述半导体衬底中构造和连接有多个电子元件(3)。所述半导体衬底(1)设有电绝缘层和含金属非晶态保护层。所述非晶态保护层由两个相继气相沉积而成的、具有不同化学成分的含金属层构成。

公开(公告)号：CN101389941B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200780005710.1

申请日：2007-01-30

Applicant: 格伦德福斯管理联合股份公司

Inventor： 延斯·彼得·克罗 ,  格特·弗里斯·埃里克森 ,  卡斯滕·迪尔拜

IPC: H01L23/29 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/146

Abstract: 本发明涉及一种电子元件、特别是用于压力和压差测量的电子传感器的制造方法。首先在晶片上形成电子元件的半导体结构。随后涂覆绝缘的氧化层。之后再淀积保护性的金属膜(6)，其中仅在晶片的某些区域内局部淀积金属膜(6)，在所述区域中不进行后续的例如通过机械方法所进行的分离。之后，将在晶片中这样构成的电子元件切分成单个元件。仅在晶片不进行后续切分的区域中局部淀积金属膜，或者在切分前至少去除晶片要进行后续切分的区域中的金属膜，其中，金属膜与相邻周边的间距小到使得薄膜区域以及围绕薄膜区域的夹紧固定区域通过金属膜保护，并且金属膜与相邻周边的间距大到使得能够确保在以后执行金属膜外的切分工序。

公开(公告)号：CN101573601A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780035529.5

申请日：2007-09-04

Applicant: 格伦德福斯管理联合股份公司

Inventor： 格特·弗里斯·埃里克森 ,  罗格·德雷乌斯 ,  卡斯滕·克里斯滕森

IPC: G01L19/06 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  H01L29/8605

Abstract: 一种用于传感器、特别是用于压力或差压传感器的半导体器件，其由半导体衬底(1)构成，在所述半导体衬底中构造和连接有多个电子元件(3)。所述半导体衬底(1)设有电绝缘层和含金属非晶态保护层。所述非晶态保护层由两个相继气相沉积而成的、具有不同化学成分的含金属层构成。

公开(公告)号：CN101389941A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780005710.1

申请日：2007-01-30

Applicant: 格伦德福斯管理联合股份公司

Inventor： 延斯·彼得·克罗 ,  格特·弗里斯·埃里克森 ,  卡斯滕·迪尔拜

IPC: G01L9/06

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/146

Abstract: 本发明涉及一种电子元件、特别是用于压力和压差测量的电子传感器的制造方法。首先在晶片上形成电子元件的半导体结构。随后涂覆绝缘的氧化层。之后再淀积保护性的金属膜(6)，其中仅在晶片的某些区域内局部淀积金属膜(6)，在所述区域中不进行后续的例如通过机械方法所进行的分离。之后，将在晶片中这样构成的电子元件切分成单个元件。