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公开(公告)号:CN107481943B
公开(公告)日:2021-01-08
申请号:CN201710422023.5
申请日:2017-06-07
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及使用导线架条制造晶片级封装及相关装置,提供一种使用嵌埋式导线架条制造晶片级封装的方法及其产生的装置。具体实施例包括将晶粒置放到模具内并使各晶粒的主动侧面向该模具的表面;将导线架条置放于该模具上,其中该导线架条包括安置于各晶粒间的已蚀刻部分及半蚀刻部分;将模具盖置放于该模具及晶粒上方;以及在介于该晶粒与模具盖之间的空间中添加成型化合物。
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公开(公告)号:CN107481943A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201710422023.5
申请日:2017-06-07
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49541 , H01L23/49579 , H01L23/49586 , H01L23/49816 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24175 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L23/3107 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及使用导线架条制造晶片级封装及相关装置,提供一种使用嵌埋式导线架条制造晶片级封装的方法及其产生的装置。具体实施例包括将晶粒置放到模具内并使各晶粒的主动侧面向该模具的表面;将导线架条置放于该模具上,其中该导线架条包括安置于各晶粒间的已蚀刻部分及半蚀刻部分;将模具盖置放于该模具及晶粒上方;以及在介于该晶粒与模具盖之间的空间中添加成型化合物。
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