公开(公告)号：CN106257659A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610439871.2

申请日：2016-06-17

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： R·S·格拉夫 ,  K·B·霍斯福德 ,  S·曼达尔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/488 ,  H01L24/12

Abstract: 本发明涉及利用传导聚合物的晶圆级芯片尺度封装结构，其为整合型传导聚合物焊球结构及形成此类整合型传导聚合物焊球结构的方法。该整合型传导聚合物焊球结构包括：溅镀晶种层，涂敷至晶圆结构；一或多个传导聚合物接垫结构，涂敷至在该晶圆结构上将会形成一或多个焊球结构的位置的该已溅镀晶种层；电镀层，涂敷至该一或多个传导聚合物接垫结构的已曝露光阻层的部分；以及焊球，形成在各该电镀层上从而形成该一或多个焊球结构。

公开(公告)号：CN106024735A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610173298.5

申请日：2016-03-24

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： J·P·甘比诺 ,  R·S·格拉夫 ,  S·曼达尔 ,  D·J·罗素

IPC: H01L23/38

CPC classification number: H05K7/2039 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/38 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L35/34 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/10219 ,  H05K2201/10378 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层。大体上是关于集成电路芯片封装，并且更具体地说，乃关于在导电通孔旁边形成具有一或多个嵌埋式帕耳帖装置的玻璃中介层的结构及方法，用以有助于使热量从多维芯片封装中的一或多个集成电路芯片通过玻璃中介层散逸并进入有机载体，其中热量可散逸到下层基板。

公开(公告)号：CN107481943A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710422023.5

申请日：2017-06-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： R·S·格拉夫 ,  S·曼达尔 ,  K·霍斯福德

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24175 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及使用导线架条制造晶片级封装及相关装置，提供一种使用嵌埋式导线架条制造晶片级封装的方法及其产生的装置。具体实施例包括将晶粒置放到模具内并使各晶粒的主动侧面向该模具的表面；将导线架条置放于该模具上，其中该导线架条包括安置于各晶粒间的已蚀刻部分及半蚀刻部分；将模具盖置放于该模具及晶粒上方；以及在介于该晶粒与模具盖之间的空间中添加成型化合物。

公开(公告)号：CN106024735B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201610173298.5

申请日：2016-03-24

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： J·P·甘比诺 ,  R·S·格拉夫 ,  S·曼达尔 ,  D·J·罗素

IPC: H01L23/38

Abstract: 本发明涉及具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层。大体上是关于集成电路芯片封装，并且更具体地说，乃关于在导电通孔旁边形成具有一或多个嵌埋式帕耳帖装置的玻璃中介层的结构及方法，用以有助于使热量从多维芯片封装中的一或多个集成电路芯片通过玻璃中介层散逸并进入有机载体，其中热量可散逸到下层基板。

公开(公告)号：CN107481943B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201710422023.5

申请日：2017-06-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： R·S·格拉夫 ,  S·曼达尔 ,  K·霍斯福德

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及使用导线架条制造晶片级封装及相关装置，提供一种使用嵌埋式导线架条制造晶片级封装的方法及其产生的装置。具体实施例包括将晶粒置放到模具内并使各晶粒的主动侧面向该模具的表面；将导线架条置放于该模具上，其中该导线架条包括安置于各晶粒间的已蚀刻部分及半蚀刻部分；将模具盖置放于该模具及晶粒上方；以及在介于该晶粒与模具盖之间的空间中添加成型化合物。