-
公开(公告)号：CN107039259B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710061404.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法。本发明为利用压电材料作为一集成电路器件中的RBT中的一栅极介电层，以生成并感测高质量的更高频率的信号的方法及其器件。本发明的实施例包括形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电栅极介电层、一栅极、以及位于该压电栅极介电层的相对侧上与栅极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；形成通过层间介电层分隔的金属层于该RBT上方；以及形成通孔以通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。
-
公开(公告)号：CN107089639B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201710086332.X
申请日：2017-02-17
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、耦接至该半导体衬底的鳍片、在该等鳍片上的FinFET、用于该等FinFET的共栅极、在该半导体衬底上的介电层、以及在该等FinFET上面的互连结构，该介电层围绕空腔且该半导体衬底通过全内反射提供该声腔的底端约束，该互连结构包括用以将该空腔中的声能约束的(多个)声子晶体，包括合夹于两个介电层间的该空腔及(多个)金属层。该半导体衬底可在FinFET的FEOL制作期间，通过在半导体衬底的表面上形成空腔来实现。接着，在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互连结构。在形成该互连结构期间，该互连结构的材料用于形成用以将介于该声子晶体与该半导体衬底间的空腔约束的声子晶体。
-
公开(公告)号：CN107089639A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710086332.X
申请日：2017-02-17
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0271 , H01L29/785 , H03H9/2405 , H03H2009/02314 , B81B7/02 , B81C1/00047 , H01L29/66795
Abstract: 本发明涉及MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、耦接至该半导体衬底的鳍片、在该等鳍片上的FinFET、用于该等FinFET的共栅极、在该半导体衬底上的介电层、以及在该等FinFET上面的互连结构，该介电层围绕空腔且该半导体衬底通过全内反射提供该声腔的底端约束，该互连结构包括用以将该空腔中的声能约束的(多个)声子晶体，包括合夹于两个介电层间的该空腔及(多个)金属层。该半导体衬底可在FinFET的FEOL制作期间，通过在半导体衬底的表面上形成空腔来实现。接着，在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互连结构。在形成该互连结构期间，该互连结构的材料用于形成用以将介于该声子晶体与该半导体衬底间的空腔约束的声子晶体。
-
公开(公告)号：CN107039259A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710061404.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法。本发明为利用压电材料作为一集成电路器件中的RBT中的一栅极介电层，以生成并感测高质量的更高频率的信号的方法及其器件。本发明的实施例包括形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电栅极介电层、一栅极、以及位于该压电栅极介电层的相对侧上与栅极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；形成通过层间介电层分隔的金属层于该RBT上方；以及形成通孔以通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
