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公开(公告)号:CN118579998A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202410665865.3
申请日:2024-05-27
Applicant: 榆林学院
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种胍分子修饰宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域,所述制备方法包括以下步骤:ITO导电玻璃氧化铟锡的清洗:将ITO导电玻璃放到洗洁精的水中浸渍10分钟,然后用带橡胶手套的手反复揉搓导电面20次,以去除表面的灰尘;之后分别用去离子水、丙酮、异丙醇、无水乙醇各超声清洗15分钟,最后放在干净的无水乙醇中浸泡备用。钙钛矿层经过胍分子进行界面修饰,钙钛矿薄膜的成膜质量明显提高,致密性和均匀性均得到了提高。