公开(公告)号：CN1321316C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510008337.8

申请日：2005-02-17

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 冈部浩史 ,  本城琢也 ,  福井浩 ,  古泽拓一

IPC: G01B11/24 ,  G01M11/02 ,  G02F1/13

Abstract: 一种光学式测定装置及光学式测定方法，能高精度地进行对电极的周期配列图形的测定。当向测定对象的玻璃基板照射通过了聚光镜(114)的聚焦光时，发生由电极(31)的配列图形产生的衍射光，在基板的表面(3a)和背面(3b)上进行反射。在该表面反射光和背面反射光在接近于聚光状态的状态下射入的位置上配置一维CCD(122)。在一维CCD(122)上，各反射光分离后入射，同时m次的背面反射光射入到m次的表面反射光的入射位置与(m+1)次的表面反射光的入射位置之间。从由该一维CCD(122)得到的受光量数据中仅提取表面反射光的强度，基于其分布状态，测定电极(31)的配列图形。

公开(公告)号：CN1657873A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510008337.8

申请日：2005-02-17

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 冈部浩史 ,  本城琢也 ,  福井浩 ,  古泽拓一

IPC: G01B11/24 ,  G01B11/00 ,  G01M11/02

Abstract: 一种光学式测定装置及光学式测定方法，能高精度地进行对电极的周期配列图形的测定。当向测定对象的玻璃基板照射通过了聚光镜(114)的聚焦光时，发生由电极(31)的配列图形产生的衍射光，在基板的表面(3a)和背面(3b)上进行反射。在该表面反射光和背面反射光在接近于聚光状态的状态下射入的位置上配置一维CCD(122)。在一维CCD(122)上，各反射光分离后入射，同时m次的背面反射光射入到m次的表面反射光的入射位置与(m+1)次的表面反射光的入射位置之间。从由该一维CCD(122)得到的受光量数据中仅提取表面反射光的强度，基于其分布状态，测定电极(31)的配列图形。

公开(公告)号：CN116468209A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211631624.4

申请日：2022-12-19

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 藤本慎也 ,  桥本直哉 ,  河本孝生 ,  河相信 ,  杉山大贵 ,  八竹英纪 ,  古泽拓一

IPC: G06Q10/0631 ,  G06Q50/04

Abstract: 分析装置、分析方法以及记录介质。分析装置具有：第1取得部，其取得表示多个工序各自中的各产品所停留的第1时间段的数据；第2取得部，其取得表示多个工序各自中的作业者所停留的第2时间段的数据；分析部，其对多个工序各自中的有关各产品的作业状况进行分析；以及提供部，其提供分析结果。分析部基于分析对象工序的分析对象期间中的第1时间段与第2时间段之间的关系，判断在分析对象工序的分析对象期间中是否产生了使作业效率下降的因素。

公开(公告)号：CN101300485A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680040778.9

申请日：2006-10-30

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 小俣顺昭 ,  菅孝博 ,  浦部心一 ,  古泽拓一 ,  永柳卫

IPC: G01N29/09 ,  G01N19/00

CPC classification number: G01N2291/02827

Abstract: 以其一侧的面与输送线(30)上的输送面一致的方式安装延迟构件(3)。加压辊(34)配置在相对于延迟构件(3)的一侧的面垂直的上方，并且，其长轴方向配置在与输送线(30)的输送方向直交的方向。并且，加压辊(34)的两端分别与加压部(32_1，32_2)连接。加压部(32_1，32_2)根据加压指令，对输送线(30)的输送面，从垂直上方向垂直下方，直线状的驱动加压辊(34)，对测定对象(SMP)进行加压。