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公开(公告)号:CN107186347B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201710034885.0
申请日:2017-01-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/082 , B23K26/03
Abstract: 本发明的激光打标机包括:控制器,具有使激光振荡的振荡器;打标机机头,基于控制器的控制,使激光在加工对象物的加工面上进行扫描。控制器在控制器存在有用于使图像处理装置执行规定的场景的设定的情况下,向图像处理装置发送用于指示执行该场景的命令。图像处理装置接收命令,则利用由打标机机头拍摄加工对象物而得到的图像数据来计算加工对象物相对于基准位置的偏移量,并且向控制器通知偏移量。控制器在基于偏移量补偿了激光进行扫描的位置之后,使打标机机头进行扫描。
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公开(公告)号:CN102474064B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201080026157.1
申请日:2010-11-12
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H01S3/06729 , H01S3/0064 , H01S3/06758 , H01S3/09408 , H01S3/09415 , H01S5/0428 , H01S5/06216
Abstract: 激光加工装置(100)具有:种子光源(2),其发出种子光;激发光源(3、9A、9B),其发出激发光;光放大光纤(1、8),其通过接收所述种子光及所述激发光,来放大所述种子光。种子LD(2)反复生成包含多个光脉冲的脉冲串,以作为种子光。多个光脉冲之间的时间间隔比脉冲串之间的间隔短。进而,能够变更光脉冲的个数、脉冲宽度、振幅及间隔中的至少一个参数。
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公开(公告)号:CN114096369B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202080048248.9
申请日:2020-03-02
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 控制装置(10)具备加工控制部(11)、图像处理部(12)以及存储部(13)。存储部(13)保存在工件(50)位于基准位置及基准高度的状态下设定的、包括工件(50)的一部分形状在内的登记图案(RP)、与该登记图案对应的对象基准位置(P0,Q0)、以及被照射到导向光的工件(50)所存在的位置的基准坐标(X0,Y0)。加工控制部(11)参照在存储部(13)中保存的基准坐标(X0,Y0)和与登记图案(RP)对应的对象基准位置(P0,Q0),来修正激光在工件(50)的加工面(50c)上的加工位置。
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公开(公告)号:CN107204564B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201710034952.9
申请日:2017-01-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的光放大装置,具有:种子光源(2),其产生脉冲状的种子光;激发光源(3、7),其产生激发光;光放大光纤(1、9),其利用激发光放大种子光,并输出放大光;控制部(20),其控制种子光源以及激发光源。控制部(20)具有如下模式,在该模式中,控制激发光的功率,以使放大光的脉冲宽度的设定值越大,则在脉冲宽度的最小设定值的阈值内放大光的峰值能量越是增大。
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公开(公告)号:CN102474064A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080026157.1
申请日:2010-11-12
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: H01S3/06729 , H01S3/0064 , H01S3/06758 , H01S3/09408 , H01S3/09415 , H01S5/0428 , H01S5/06216
Abstract: 激光加工装置(100)具有:种子光源(2),其发出种子光;激发光源(3、9A、9B),其发出激发光;光放大光纤(1、8),其通过接收所述种子光及所述激发光,来放大所述种子光。种子LD(2)反复生成包含多个光脉冲的脉冲串,以作为种子光。多个光脉冲之间的时间间隔比脉冲串之间的间隔短。进而,能够变更光脉冲的个数、脉冲宽度、振幅及间隔中的至少一个参数。
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公开(公告)号:CN1321316C
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200510008337.8
申请日:2005-02-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 一种光学式测定装置及光学式测定方法,能高精度地进行对电极的周期配列图形的测定。当向测定对象的玻璃基板照射通过了聚光镜(114)的聚焦光时,发生由电极(31)的配列图形产生的衍射光,在基板的表面(3a)和背面(3b)上进行反射。在该表面反射光和背面反射光在接近于聚光状态的状态下射入的位置上配置一维CCD(122)。在一维CCD(122)上,各反射光分离后入射,同时m次的背面反射光射入到m次的表面反射光的入射位置与(m+1)次的表面反射光的入射位置之间。从由该一维CCD(122)得到的受光量数据中仅提取表面反射光的强度,基于其分布状态,测定电极(31)的配列图形。
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公开(公告)号:CN114096369A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202080048248.9
申请日:2020-03-02
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 控制装置(10)具备加工控制部(11)、图像处理部(12)以及存储部(13)。存储部(13)保存在工件(50)位于基准位置及基准高度的状态下设定的、包括工件(50)的一部分形状在内的登记图案(RP)、与该登记图案对应的对象基准位置(P0,Q0)、以及被照射到导向光的工件(50)所存在的位置的基准坐标(X0,Y0)。加工控制部(11)参照在存储部(13)中保存的基准坐标(X0,Y0)和与登记图案(RP)对应的对象基准位置(P0,Q0),来修正激光在工件(50)的加工面(50c)上的加工位置。
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公开(公告)号:CN107204564A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201710034952.9
申请日:2017-01-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的光放大装置,具有:种子光源(2),其产生脉冲状的种子光;激发光源(3、7),其产生激发光;光放大光纤(1、9),其利用激发光放大种子光,并输出放大光;控制部(20),其控制种子光源以及激发光源。控制部(20)具有如下模式,在该模式中,控制激发光的功率,以使放大光的脉冲宽度的设定值越大,则在脉冲宽度的最小设定值的阈值内放大光的峰值能量越是增大。
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公开(公告)号:CN107186347A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710034885.0
申请日:2017-01-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , B23K26/082 , B23K26/03
Abstract: 本发明的激光打标机包括:控制器,具有使激光振荡的振荡器;打标机机头,基于控制器的控制,使激光在加工对象物的加工面上进行扫描。控制器在控制器存在有用于使图像处理装置执行规定的场景的设定的情况下,向图像处理装置发送用于指示执行该场景的命令。图像处理装置接收命令,则利用由打标机机头拍摄加工对象物而得到的图像数据来计算加工对象物相对于基准位置的偏移量,并且向控制器通知偏移量。控制器在基于偏移量补偿了激光进行扫描的位置之后,使打标机机头进行扫描。
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公开(公告)号:CN1657873A
公开(公告)日:2005-08-24
申请号:CN200510008337.8
申请日:2005-02-17
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 一种光学式测定装置及光学式测定方法,能高精度地进行对电极的周期配列图形的测定。当向测定对象的玻璃基板照射通过了聚光镜(114)的聚焦光时,发生由电极(31)的配列图形产生的衍射光,在基板的表面(3a)和背面(3b)上进行反射。在该表面反射光和背面反射光在接近于聚光状态的状态下射入的位置上配置一维CCD(122)。在一维CCD(122)上,各反射光分离后入射,同时m次的背面反射光射入到m次的表面反射光的入射位置与(m+1)次的表面反射光的入射位置之间。从由该一维CCD(122)得到的受光量数据中仅提取表面反射光的强度,基于其分布状态,测定电极(31)的配列图形。
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