公开(公告)号：CN105848789B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN201480065310.X

申请日：2014-10-07

Applicant: 欧洲等离子公司

Inventor： F.利坚 ,  E.罗格 ,  M.塞库

IPC: B05D1/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种方法，包括步骤：引入包括待在低压力反应腔室中涂敷的表面的衬底；在所述反应腔室内在处理时段期间将所述表面暴露于等离子体；通过施加功率输入来确保稳定等离子体激发，其特征在于，功率输入在所述处理时段期间连续地严格高于零瓦特(W)，并且包括至少一个下限功率以及严格大于所述下限功率的至少一个上限功率，由此获得具有受涂敷的表面的衬底。本发明还涉及一种用于通过低压力等离子体工艺来处理衬底的装置以及因此而处理的衬底。

公开(公告)号：CN105848789A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480065310.X

申请日：2014-10-07

Applicant: 欧洲等离子公司

Inventor： F.利坚 ,  E.罗格 ,  M.塞库

IPC: B05D1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32146 ,  B05D1/62 ,  B05D5/08 ,  B05D7/02 ,  B05D7/14 ,  C03C17/32 ,  C03C2217/20 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/15 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/83 ,  C09D133/16 ,  C23C16/50 ,  C23C26/00 ,  D21H23/22 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3326

Abstract: 本发明涉及一种方法，包括步骤：引入包括待在低压力反应腔室中涂敷的表面的衬底；在所述反应腔室内在处理时段期间将所述表面暴露于等离子体；通过施加功率输入来确保稳定等离子体激发，其特征在于，功率输入在所述处理时段期间连续地严格高于零瓦特(W)，并且包括至少一个下限功率以及严格大于所述下限功率的至少一个上限功率，由此获得具有受涂敷的表面的衬底。本发明还涉及一种用于通过低压力等离子体工艺来处理衬底的装置以及因此而处理的衬底。