公开(公告)号：CN102992762B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201210462371.2

申请日：2012-11-16

Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司

Inventor： 舒剑龙 ,  钟伟刚 ,  黄习坤

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明公开了一种钡钴锌铌基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：选用BaCO3、CoO、ZnO、Nb2O5为主原料，添加剂为Al2O3、WO3、ZrO2、SnO2、CeO2中的一种或者几种，添加剂的用量为主原料总重量的0.05~0.5%，将主原料和添加剂置于球磨罐中加水球磨；烘干，研细并过筛；煅烧；第二次球磨；烘干造粒并过筛；压片，即得。本发明制备所得的钡钴锌铌基微波介质陶瓷的价格比较低廉、介电常数适中、QF值≥40000、τf在±2ppm/℃之间可调，微波性能得到很大的提高，能够适用于批量生产，具有很大的经济价值。

公开(公告)号：CN102358700A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110227010.5

申请日：2011-08-09

Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司

Inventor： 钟伟刚 ,  舒剑龙

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供了一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，它在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000-1100℃，保温时间为4-8小时。用本发明的烧结工艺得到的ZrTi体系微波介质陶瓷材料，Q值可以达到9000以上，电气性能上得到了大大的提高。

公开(公告)号：CN102992762A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210462371.2

申请日：2012-11-16

Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司

Inventor： 舒剑龙 ,  钟伟刚 ,  黄习坤

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明公开了一种钡钴锌铌基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：选用BaCO3、CoO、ZnO、Nb2O5为主原料，添加剂为Al2O3、WO3、ZrO2、SnO2、CeO2中的一种或者几种，添加剂的用量为主原料总重量的0.05~0.5%，将主原料和添加剂置于球磨罐中加水球磨；烘干，研细并过筛；煅烧；第二次球磨；烘干造粒并过筛；压片，即得。本发明制备所得的钡钴锌铌基微波介质陶瓷的价格比较低廉、介电常数适中、QF值≥40000、τf在±2ppm/℃之间可调，微波性能得到很大的提高，能够适用于批量生产，具有很大的经济价值。