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公开(公告)号：CN102992762B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210462371.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种钡钴锌铌基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：选用BaCO3、CoO、ZnO、Nb2O5为主原料，添加剂为Al2O3、WO3、ZrO2、SnO2、CeO2中的一种或者几种，添加剂的用量为主原料总重量的0.05~0.5%，将主原料和添加剂置于球磨罐中加水球磨；烘干，研细并过筛；煅烧；第二次球磨；烘干造粒并过筛；压片，即得。本发明制备所得的钡钴锌铌基微波介质陶瓷的价格比较低廉、介电常数适中、QF值≥40000、τf在±2ppm/℃之间可调，微波性能得到很大的提高，能够适用于批量生产，具有很大的经济价值。
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公开(公告)号：CN102324617B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201110190729.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: H01P7/10
Abstract: 一种两端接地TM模介质谐振器，包括介质谐振柱、金属谐振腔和盖板，介质谐振柱位于金属谐振腔内，介质谐振柱的下端面与所述金属谐振腔底面相接触，盖板位于金属谐振腔的上面，其特征在于，在所述介质谐振柱上端面与所述盖板之间设有导电弹性体垫片，导电弹性体垫片在介质谐振柱与盖板之间有预压力。本发明由于采用导电弹性体垫片，尤其是导电弹性体垫片在介质谐振柱与所述盖板之间设有预压力，使的本发明依靠导电弹性体垫片受压后的回弹力保证介质谐振柱和金属谐振腔之间紧密接触，保证电流不间断地传输，可以有效防止电流外漏，从而提高TM模介质谐振器性能，减小了整个介质谐振器体积。
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公开(公告)号：CN102992762A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210462371.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 本发明公开了一种钡钴锌铌基微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：选用BaCO3、CoO、ZnO、Nb2O5为主原料，添加剂为Al2O3、WO3、ZrO2、SnO2、CeO2中的一种或者几种，添加剂的用量为主原料总重量的0.05~0.5%，将主原料和添加剂置于球磨罐中加水球磨；烘干，研细并过筛；煅烧；第二次球磨；烘干造粒并过筛；压片，即得。本发明制备所得的钡钴锌铌基微波介质陶瓷的价格比较低廉、介电常数适中、QF值≥40000、τf在±2ppm/℃之间可调，微波性能得到很大的提高，能够适用于批量生产，具有很大的经济价值。
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公开(公告)号：CN102044730B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201010574305.5
申请日：2010-12-06
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明涉及一种TM模介质滤波器，包括金属谐振腔、盖板、调谐螺钉和TM模介质谐振器，所述TM模介质谐振器通过螺钉固定在金属谐振腔内，其特征是，所述螺钉的丝杆部分穿过TM模介质谐振器的定位孔拧紧在金属谐振腔的底部或侧壁上，螺钉的丝杆部分不与上述定位孔孔壁接触，所述螺钉的头部与TM模介质谐振器的定位孔端面之间设有将二者隔开的过渡垫圈。本发明采用高Q、低介电常数的过渡垫圈将TM模介质谐振器与螺钉隔开，使螺钉头部接触到的是高Q值，低介电常数的材料，其Q值的下降不会影响到整个TM模介质谐振器的Q值，从而解决了用金属螺钉来固定TM模介质谐振器的问题。
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公开(公告)号：CN103855448A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210513379.7
申请日：2012-12-03
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种TM模介质滤波器，包括底座和盖板，在底座内设有至少两个谐振器；在所述谐振器上面开有频率调节孔，相邻两个谐振器之间设有谐振器间耦合装置；所述盖板上设有与频率调节孔相对应的频率调节螺杆；在底座内两端的两个谐振器上设有输入输出耦合装置，其特征在于：所述谐振器呈圆柱状，与底座为同一种材料一体化成形；底座内绕谐振器圆柱面一周开有上端敞开的环形空气槽；所述底座和盖板由TM模介质材料制备。本发明具有结构简单、不需要引入弹性导体、体积小、滤波性能更好的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102371616B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110234205.2
申请日：2011-08-16
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: B28B3/02 , C04B35/465
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷坯体干压成型工艺，包括以下步骤：①、填料，向阴模中加入制作陶瓷坯体的料粉；②、预压紧，上冲头下降，阴模静止，使阴模上部的粉料密度增大；③、同步压制，阴模和上冲头同步向下运动，使阴模下部的粉料密度增大；④、再次加压，阴模静止，上冲头继续向下压制，对粉料进行再次加压；⑤、保护脱模，压制完成后将上冲头压在坯体表面进行脱模，使加在坯体上的应力匀速释放至脱模。本发明减少了微波介质陶件的开裂、分层现象，并减少了产品两端锥度，提高了产品合格率。
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公开(公告)号：CN102390995A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110235805.0
申请日：2011-08-17
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种微波介质陶瓷材料及其生产工艺，它的化学组成为：xCaTiO3-(1-x)NdAlO3，其中0.6＜x＜0.73。本发明的微波介质微波介质陶瓷材料品质因数可以达到44000以上，性能优异。
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公开(公告)号：CN102371616A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110234205.2
申请日：2011-08-16
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: B28B3/02 , C04B35/465
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷坯体干压成型工艺，包括以下步骤：①填料，向阴模中加入制作陶瓷坯体的料粉；②预压紧，上冲头下降，阴模静止，使阴模上部的粉料密度增大；③同步压制，阴模和上冲头同步向下运动，使阴模下部的粉料密度增大；④再次加压，阴模静止，上冲头继续向下压制，对粉料进行再次加压；⑤保护脱模，压制完成后将上冲头压在坯体表面进行脱模，使加在坯体上的应力匀速释放至脱模。本发明减少了微波介质陶件的开裂、分层现象，并减少了产品两端锥度，提高了产品合格率。
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公开(公告)号：CN102358700A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110227010.5
申请日：2011-08-09
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: C04B35/515 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，它在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000-1100℃，保温时间为4-8小时。用本发明的烧结工艺得到的ZrTi体系微波介质陶瓷材料，Q值可以达到9000以上，电气性能上得到了大大的提高。
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公开(公告)号：CN102324617A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110190729.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
IPC: H01P7/10
Abstract: 一种两端接地TM模介质谐振器，包括介质谐振柱、金属谐振腔和盖板，介质谐振柱位于金属谐振腔内，介质谐振柱的下端面与所述金属谐振腔底面相接触，盖板位于金属谐振腔的上面，其特征在于，在所述介质谐振柱上端面与所述盖板之间设有导电弹性体垫片，导电弹性体垫片在介质谐振柱与盖板之间有预压力。本发明由于采用导电弹性体垫片，尤其是导电弹性体垫片在介质谐振柱与所述盖板之间设有预压力，使的本发明依靠导电弹性体垫片受压后的回弹力保证介质谐振柱和金属谐振腔之间紧密接触，保证电流不间断地传输，可以有效防止电流外漏，从而提高TM模介质谐振器性能，减小了整个介质谐振器体积。
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