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    用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法
    3.
    发明授权
    用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103053008B

    公开(公告)日：2016-05-25

    申请号：CN201180041583.7

    申请日：2011-08-25

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： M.菲尔方格 ,  S.约斯特

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

    CPC classification number: F27D9/00 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719

    Abstract: 本发明涉及用于在至少一个加热室和至少一个冷却室中对至少两个相叠布置的工艺层面上的至少两个多层本体进行连续热处理的装置，所述加热室和冷却室相继布置，其中加热室包括：第一工艺层面（3.1），其具有用于至少一个第一多层本体（4.1）的第一工艺框（5.1），所述第一工艺框（5.1）位于第一辐射器阵列（2.1）与第二辐射器阵列（2.2）之间，所述辐射器阵列具有用于加热第一多层本体（4.1）的加热辐射器（9）；第二工艺层面（3.1），其具有用于至少一个第二多层本体（4.2）的第二工艺框（5.2），所述第二工艺框位（5.2）于第二辐射器阵列（4.2）与第三辐射器阵列（4.3）之间，所述辐射器阵列具有用于加热第二多层本体（4.2）的加热辐射器（9）；其中第一辐射器阵列（2.1）和第二辐射器阵列（2.2）被构造为使得由第一辐射器阵列（2.1）以与第二辐射器阵列（2.2）不同的辐射强度照射第一工艺层面（2.1），和/或其中第二辐射器阵列（2.2）和第三辐射器阵列（2.3）被构造为使得由第二辐射器阵列（2.2）以与第三辐射器阵列（2.3）不同的辐射强度照射第二工艺层面（2.2），并且其中冷却室（KK1）包括：冷却装置；第一工艺层面（3.1），其用于冷却至少一个第一多层本体（4.1）；以及第二工艺层面（3.2），其用于冷却至少一个第二多层本体（4.2）。

    用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法
    4.
    发明公开
    用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN103053008A

    公开(公告)日：2013-04-17

    申请号：CN201180041583.7

    申请日：2011-08-25

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： M.菲尔方格 ,  S.约斯特

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

    CPC classification number: F27D9/00 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719

    Abstract: 本发明涉及用于在至少一个加热室和至少一个冷却室中对至少两个相叠布置的工艺层面上的至少两个多层本体进行连续热处理的装置，所述加热室和冷却室相继布置，其中加热室包括：第一工艺层面（3.1），其具有用于至少一个第一多层本体（4.1）的第一工艺框（5.1），所述第一工艺框（5.1）位于第一辐射器阵列（2.1）与第二辐射器阵列（2.2）之间，所述辐射器阵列具有用于加热第一多层本体（4.1）的加热辐射器（9）；第二工艺层面（3.1），其具有用于至少一个第二多层本体（4.2）的第二工艺框（5.2），所述第二工艺框位（5.2）于第二辐射器阵列（4.2）与第三辐射器阵列（4.3）之间，所述辐射器阵列具有用于加热第二多层本体（4.2）的加热辐射器（9）；其中第一辐射器阵列（2.1）和第二辐射器阵列（2.2）被构造为使得由第一辐射器阵列（2.1）以与第二辐射器阵列（2.2）不同的辐射强度照射第一工艺层面（2.1），和/或其中第二辐射器阵列（2.2）和第三辐射器阵列（2.3）被构造为使得由第二辐射器阵列（2.2）以与第三辐射器阵列（2.3）不同的辐射强度照射第二工艺层面（2.2），并且其中冷却室（KK1）包括：冷却装置；第一工艺层面（3.1），其用于冷却至少一个第一多层本体（4.1）；以及第二工艺层面（3.2），其用于冷却至少一个第二多层本体（4.2）。

    用于产生掺杂有钠的五元化合物半导体CZTSSE的方法
    5.
    发明公开
    用于产生掺杂有钠的五元化合物半导体CZTSSE的方法 无效

    公开(公告)号：CN104247036A

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：CN201380022112.0

    申请日：2013-04-25

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： R.莱希纳 ,  G.马诺哈兰 ,  S.约斯特

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L31/1832 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/1864

    Abstract: 本发明关于一种用于产生分层堆叠以用于制造具有Cu2ZnSn(S,Se)4类型的化合物半导体的薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层包括被适配成阻止碱金属的扩散的材料；在所述阻挡层上沉积电极层；沉积包括金属铜、锌和锡的第一前体层；在所述第一前体层上沉积包括从硫和硒中选择的至少一个硫属元素的第二前体层；使所述前体层退火以结晶化所述化合物半导体；在所述第一和第二前体层的退火期间供应至少一种工艺气体，其中（i）在硫或者硒被包含在所述第二前体层中的情况下，另一硫属元素和/或包含另一硫属元素的化合物被包含在所述工艺气体中，或者（ii）在硫和硒被包含在所述第二前体层中的情况下，硫和/或硒和/或包含硫的化合物和/或包含硒的化合物被包含在所述工艺气体中；（i）在所述前体层的所述退火之前在所述前体层和/或所述电极层上，（ii）在所述前体层的所述退火期间在所述前体层上，和/或（iii）在所述前体层的退火之后在所述化合物半导体上沉积元素钠和/或含钠化合物，其中所述化合物半导体以这样的方式产生以使得获得在所述化合物半导体的第一边界面和第二边界面之间的明确的钠和硫深度分布。

    用于在基材上沉积层的设备和方法
    6.
    发明公开
    用于在基材上沉积层的设备和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102762761A

    公开(公告)日：2012-10-31

    申请号：CN201180010767.7

    申请日：2011-02-22

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： J.帕尔姆 ,  S.波尔纳 ,  S.约斯特 ,  T.哈普

    IPC: C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C30B23/00 ,  C30B29/48 ,  C23C14/54

    CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4412 ,  C30B23/005 ,  C30B29/48

    Abstract: 本发明涉及一种用于在物体(20)上沉积由至少两种成分制成的层的设备，其具有用于布置该物体的沉积室(11)，至少一个具有待沉积的材料的源(12)，以及至少一个用于控制沉积过程的装置(40)，该设备如此配置：使得可以在沉积到基材上之前，通过选择性结合特定量的所述至少一种成分来在待沉积的材料的气相中改变其至少一种成分的浓度，其中该至少一种成分的选择性结合的量可以通过改变至少一种控制参数来进行控制，该参数主动偶合到所述组分的结合率。此外，涉及一种用于在物体上沉积由至少两种成分制成的层的设备，其中用于控制沉积过程的装置具有由反应性材料制成的至少一个吸气元件，其中该反应性材料包括铜和/或钼。还涉及一种用于在物体上沉积由至少两种成分制成的层的方法，其中至少一种成分的选择性结合的量是通过改变用于控制沉积过程的装置的结合率来控制的。

    生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法
    7.
    发明授权
    生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104885191B

    公开(公告)日：2017-11-28

    申请号：CN201380066999.3

    申请日：2013-12-11

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： S.约斯特 ,  R.莱希纳 ,  T.达利博尔 ,  P.埃雷尔兹

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/36

    CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749

    Abstract: 本发明涉及制造化合物半导体(2)的方法，其包括下面的步骤：‑制造至少一个前体‑层堆叠体(11)，其由第一前体‑层(5.1)、第二前体‑层(6)和第三前体‑层(5.2)组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到基体(12)上来制造第一前体‑层(5.1)，和在第二阶段中，通过将选自硫和硒的至少一种硫族元素沉积到第一前体‑层(5.1)上来制造第二前体‑层(6)，和在第三阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到第二前体‑层(6)上来制造第三前体‑层(5.2)；‑在工艺室(13)中如此热处理该至少一个前体‑层堆叠体(11)，以使第一前体‑层(5.1)的金属、第二前体‑层(6)的至少一种硫族元素和第三前体‑层(5.2)的金属反应性转化成化合物半导体(2)。

    用于处理被涂层的衬底的处理盒、装置和方法
    8.
    发明授权
    用于处理被涂层的衬底的处理盒、装置和方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104106131B

    公开(公告)日：2017-08-08

    申请号：CN201380009664.8

    申请日：2013-02-08

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： M.菲尔方格 ,  D.C.范 ,  S.约斯特

    IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/67346 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67353 ,  H01L21/67383 ,  H01L31/1864

    Abstract: 本发明涉及用于处理在单侧被涂层的衬底的可运送的处理盒，包括：用于以整面支持的方式安放第一衬底的底部，其中所述底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射能量被热处理；框架；被放置到所述框架上的盖；用于以整面支持的方式安放第二衬底的被布置在底部和盖之间的中间元件，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理。此外，本发明涉及用于处理衬底的装置和方法，其中处理盒或处理载体被安装并且被装载有衬底，被运送到处理室中，并且辐射能量从盖上方和/或底部下方被入射。在预先安装的处理载体情况下，盖或与框架连接的盖被递送到处理载体上用于构造处理盒。

    生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法
    10.
    发明公开
    生产化合物半导体和薄膜太阳能电池的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104885191A

    公开(公告)日：2015-09-02

    申请号：CN201380066999.3

    申请日：2013-12-11

    Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

    Inventor： S.约斯特 ,  R.莱希纳 ,  T.达利博尔 ,  P.埃雷尔兹

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/36

    CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749

    Abstract: 本发明涉及制造化合物半导体(2)的方法，其包括下面的步骤：-制造至少一个前体-层堆叠体(11)，其由第一前体-层(5.1)、第二前体-层(6)和第三前体-层(5.2)组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到基体(12)上来制造第一前体-层(5.1)，和在第二阶段中，通过将选自硫和硒的至少一种硫族元素沉积到第一前体-层(5.1)上来制造第二前体-层(6)，和在第三阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到第二前体-层(6)上来制造第三前体-层(5.2)；-在工艺室(13)中如此热处理该至少一个前体-层堆叠体(11)，以使第一前体-层(5.1)的金属、第二前体-层(6)的至少一种硫族元素和第三前体-层(5.2)的金属反应性转化成化合物半导体(2)。

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