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公开(公告)号:CN109841862A
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201811441589.3
申请日:2018-11-29
Applicant: 流慧株式会社 , 爱德株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01M8/0228
Abstract: 在本发明主题的第一方面,层状结构包括:基底,该基底包括作为主要组分的第一金属和不同于第一金属的第二金属;以及基底的热氧化膜,该热氧化膜布置在基底上且含有第一金属的氧化物和第二金属的氧化物。包含在基底中的第一金属的原子组成比大于包含在基底中的第二金属的原子组成比。包含在热氧化膜中的氧化物的第一金属的原子组成比小于包含在基底中的第一金属的原子组成比。包含在热氧化膜中的氧化物的第二金属的原子比等于或大于包含在热氧化膜中的氧化物的第一金属的原子比。
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公开(公告)号:CN109628910A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811147185.3
申请日:2018-09-29
Applicant: 流慧株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/34 , C23C16/4481 , C23C16/455 , C23C16/45559 , C23C16/4418 , C23C16/45512
Abstract: 在本发明主题的第一方面中,形成膜的方法包括将至少包括第一化学元素和第二化学元素的原料转化成雾化的液滴;通过使用载气将至少包括第一化学元素和第二化学元素的雾化的液滴携带在物体上;和使雾化的液滴反应而在物体上形成至少包括第一化学元素和第二化学元素的膜。第一化学元素选自周期表的14族元素和15族元素。第二化学元素选自周期表的d区元素、13族元素和14族元素并且与第一化学元素不同。
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公开(公告)号:CN108690969A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810293622.6
申请日:2018-03-30
Applicant: 流慧株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
CPC classification number: H01M8/0228 , C23C16/405 , C23C16/407 , C23C16/4486 , H01M8/0206 , H01M8/021 , H01M8/0215 , H01M8/026 , H01M2008/1095 , C23C16/40 , C23C16/4481
Abstract: 本发明提供一种成膜方法、导电性层压结构体及电子装置。本发明的成膜方法简单且容易地、在工业上有利地对基材密合性良好地形成导电性金属氧化膜。在通过将对含有金属的原料溶液进行雾化或液滴化而生成的雾或液滴利用载气运送到基体,接着在该基体上使该雾或液滴进行热反应,从而在该基体上形成导电性金属氧化膜的成膜方法中,使用表面的一部分或全部含有铜或铜合金、铝或铝合金、镁或镁合金、或者不锈钢作为主要成分的基体作为所述基体来进行成膜。
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