公开(公告)号：CN109427915A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810972334.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66212

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN108474115A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680075857.7

申请日：2016-12-21

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 香取重尊 ,  广木一亮 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448 ,  B05D3/10 ,  H01L21/365 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: B05D3/10 ,  B05D1/30 ,  B05D1/60 ,  B05D3/002 ,  C23C16/409 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4486 ,  H01L51/44 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，以及优选在250℃或以下的温度使雾或液滴反应，从而在基体上成膜(成膜步骤)。

公开(公告)号：CN109427867A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810971991.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN109417037A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/24 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/70 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  H01L35/22

Abstract: 本申请提供了具有良好的p-型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p-型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN109423694A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810948461.X

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm-2的位错密度。

公开(公告)号：CN109423693A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810948015.9

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 大岛佑一 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。

公开(公告)号：CN107799584A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710772734.5

申请日：2017-08-31

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L29/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN109423694B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201810948461.X

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、92 6 ‑2μm或更大的表面积和小于5×10cm 的位错密度。

公开(公告)号：CN109423693B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201810948015.9

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 大岛佑一 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。

公开(公告)号：CN109643660A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p-型氧化物半导体，以及制造该p-型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p-型氧化物半导体。