公开(公告)号：CN103757602A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410027158.8

申请日：2014-01-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴华强 ,  袁硕果 ,  李寒 ,  钱鹤

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，可以包括以下步骤：提供硫粉并加热转变为硫蒸气；利用载气将硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；将反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使三氧化钼粉末与硫蒸气反应生成气态的MoO3-x并沉积到衬底上，其中0＜x≤1；将反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使硫蒸气与MoO3-x反应，在衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，其中，第一预设温度小于第二预设温度。本发明能够通过两步反应法能够获得大面积、层数可控的单层二硫化钼薄膜。

公开(公告)号：CN103924213A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410176131.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴华强 ,  袁硕果 ,  李寒 ,  钱鹤

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45523 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30449

Abstract: 本发明公开了一种用于场发射器件的二硫化钼薄膜的制备方法，包括：提供硫蒸气；将硫蒸气吹入置有衬底和MoO3粉末的反应腔，以使MoO3粉末与硫蒸气反应生成气态的MoOx并沉积到衬底上，其中2≤x＜3；向所述反应腔中继续通入硫蒸气，先将反应腔加热到预设反应温度持续预设反应时间，然后将反应腔降温至室温并持续第二反应时间，以使硫蒸气与MoOx在衬底表面形成先平面生长后垂直生长的二硫化钼薄膜。本发明的二硫化钼薄膜的制备方法简单易行，得到的MoS2薄膜场发射性能好。

公开(公告)号：CN103757602B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410027158.8

申请日：2014-01-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴华强 ,  袁硕果 ,  李寒 ,  钱鹤

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，可以包括以下步骤：提供硫粉并加热转变为硫蒸气；利用载气将硫蒸气吹入置有衬底和三氧化钼粉末的反应腔；将反应腔的温度加热到第一预设温度并保持第一预设时间，以使三氧化钼粉末与硫蒸气反应生成气态的MoO3-x并沉积到衬底上，其中0＜x≤1；将反应腔的温度加热到第二预设温度并保持第二预设时间，继续通入硫蒸气，以使硫蒸气与MoO3-x反应，在衬底表面形成单层二硫化钼薄膜，其中，第一预设温度小于第二预设温度。本发明能够通过两步反应法能够获得大面积、层数可控的单层二硫化钼薄膜。