公开(公告)号：CN101027741A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580029357.1

申请日：2005-08-31

Applicant: 爱德万测试株式会社

Inventor： 高柳史一 ,  三瓶广和

IPC: H01H61/01 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  H01H61/013 ,  H01H37/14 ,  H01H37/52

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  G02B26/0866 ,  H01H61/02 ,  H01H2061/006

Abstract: 一种双压电晶片元件，具备：氧化硅层；高膨胀率层，其形成在氧化硅层上且具有较此氧化硅层的热膨胀率还高的热膨胀率；以及变形防止层，其覆盖氧化硅层的表面，以防止氧化硅层由于经常变化所形成的变形。变形防止层变形防止层相对于水份和氧的透过率亦可较氧化硅层还低，变形防止层亦可以是一种以较形成氧化硅层时还高的能量来进行成膜时所形成的氧化硅，变形防止层亦可为氮化硅层或金属层。

公开(公告)号：CN101027741B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200580029357.1

申请日：2005-08-31

Applicant: 爱德万测试株式会社

Inventor： 高柳史一 ,  三瓶广和

IPC: H01H61/01 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  H01H61/013 ,  H01H37/14 ,  H01H37/52

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  G02B26/0866 ,  H01H61/02 ,  H01H2061/006

Abstract: 一种双压电晶片元件，具备：氧化硅层；高膨胀率层，其形成在氧化硅层上且具有较此氧化硅层的热膨胀率还高的热膨胀率；以及变形防止层，其覆盖氧化硅层的表面，以防止氧化硅层由于经常变化所形成的变形。变形防止层相对于水份和氧的透过率亦可较氧化硅层还低，变形防止层亦可以是一种以较形成氧化硅层时还高的能量来进行成膜时所形成的氧化硅，变形防止层亦可为氮化硅层或金属层。