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公开(公告)号：CN110144548B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910180189.X
申请日：2015-06-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及阻气性层合体、其制备方法、由所述阻气性层合体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气性层合体具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层。根据本发明，可提供阻气性和耐弯曲性优异的阻气性层合体等。
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公开(公告)号：CN110144548A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910180189.X
申请日：2015-06-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及阻气性层合体、其制备方法、由所述阻气性层合体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气性层合体具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层。根据本发明，可提供阻气性和耐弯曲性优异的阻气性层合体等。
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公开(公告)号：CN106457763B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201580029504.9
申请日：2015-06-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及阻气性层合体、其制备方法、由所述阻气性层合体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气性层合体具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层。根据本发明，可提供阻气性和耐弯曲性优异的阻气性层合体等。
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公开(公告)号：CN106457763A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029504.9
申请日：2015-06-02
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08J7/047 , B05D1/60 , B05D1/62 , B05D5/00 , B05D7/04 , B05D7/51 , C08J2383/16 , C23C14/0036 , C23C14/086
Abstract: 本发明涉及阻气性层合体、其制备方法、由所述阻气性层合体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气性层合体具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层。根据本发明，可提供阻气性和耐弯曲性优异的阻气性层合体等。
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