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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118676136A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410178347.9

申请日：2024-02-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上禅 , 比嘉友大

IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L23/58

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括第一阱区域、第二阱区域、体区域和阴极区域。体区域的杂质浓度比第一阱区域的杂质浓度高，并且第二阱区域的杂质浓度比体区域的杂质浓度高。在平面图中，体区域包括阴极区域，并且阴极区域包括第二阱区域。阴极区域配置齐纳二极管的阴极，并且第一阱区域、第二阱区域和体区域配置齐纳二极管的阳极。

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