公开(公告)号：CN105577214A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510728354.2

申请日：2015-10-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈本学 ,  涩谷祐贵

IPC: H04B1/3827 ,  H04W88/02 ,  H04W84/18

CPC classification number: H05K1/0268 ,  G01R31/2801 ,  H04B1/3827 ,  H04B1/3888 ,  H05K1/116 ,  H05K1/144 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/10189 ,  H04W84/18 ,  H04W88/02

Abstract: 本发明公开了一种电子装置及其制造方法。可以实现用作无线通信系统的组件的电子装置的小型化。实施例中的主要特征点是：例如，如附图所示，集中布置布线板的上表面上设置的多个测试端子。因此，可以减小形成有单元测试中使用的测试端子的测试端子形成区域(第一测试端子形成区域)的尺寸。其结果是，可以实现根据本实施例的电子装置的小型化。

公开(公告)号：CN104241257A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410247229.5

申请日：2014-06-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山道新太郎 ,  冈本学 ,  本多广一

IPC: H01L25/065

Abstract: 本发明涉及半导体器件，防止具有共同布置在特定区域中的直通硅通孔的半导体芯片的基板破裂。当与第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时，第一硅通孔中的每一个被布置在网格点的任一个上，该网格点被布置成m行和n列(m＞n)。此外，如在沿着第一半导体芯片的短边所述的横截面上所观察到的那样，通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于第一半导体芯片的短边的中心。

公开(公告)号：CN104241257B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201410247229.5

申请日：2014-06-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山道新太郎 ,  冈本学 ,  本多广一

IPC: H01L25/065

Abstract: 本发明涉及半导体器件，防止具有共同布置在特定区域中的直通硅通孔的半导体芯片的基板破裂。当与第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时，第一硅通孔中的每一个被布置在网格点的任一个上，该网格点被布置成m行和n列(m>n)。此外，如在沿着第一半导体芯片的短边所述的横截面上所观察到的那样，通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于第一半导体芯片的短边的中心。