半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107210233B

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201580073894.X

    申请日:2015-07-23

    Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法,提高半导体器件的可靠性。因此,将尽可能不在成为多孔质状态的Ag层(AGL)的表面上形成临时固定材料(TA),同时,使用具有粘性的临时固定材料(TA)将搭载于Ag层(AGL)上的半导体芯片(CHP1)固定这一基本思想具体化。具体来说,以具有与芯片搭载部(TAB)接触的部分的方式供给临时固定材料(TA),且以半导体芯片(CHP1)的背面的一部分与临时固定材料(TA)接触的方式将半导体芯片(CHP1)搭载于Ag层(AGL)上。

    制造半导体器件的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117594467A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310765711.7

    申请日:2023-06-27

    Abstract: 本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在划片步骤中出现裂纹的情况下,可以抑制裂纹向元件区域发展。在半导体晶片的主表面中形成第一划线区域和第二划线区域,第一划线区域和第二划线区域两者都限定元件区域。在第一划线区域中,形成评估深沟槽组,评估深沟槽组包括评估深沟槽‑第一部分和评估深沟槽‑第二部分。评估深沟槽‑第一部分被形成在第一区域中。在位于第一区域和元件区域之间的第二区域中,评估深沟槽‑第二部分具有在X轴方向上的宽度,并且被形成为在Y轴方向上延伸的条形。

    制造半导体器件的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113903659A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111165239.0

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤:(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路,该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面;(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式,研磨晶片的背表面,该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分);(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面;以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时,通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分,来将中心部分与周缘部分分割开。

    制造半导体器件的方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106024710B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201610170129.6

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤:(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路,该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面;(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式,研磨晶片的背表面,该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分);(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面;以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时,通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分,来将中心部分与周缘部分分割开。

    半导体装置及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104051401B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201410095780.2

    申请日:2014-03-14

    Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有:管芯焊盘(6)、搭载于管芯焊盘(6)的SiC芯片(1)、对管芯焊盘(6)和SiC芯片(1)进行接合的多孔质的第1烧结Ag层(16)、以及覆盖第1烧结Ag层(16)的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部(17)。进而,具有与SiC芯片(1)的源电极(2)电连接的源极引线(9)、与栅电极(3)电连接的栅极引线、与漏电极(4)电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片(1)、第1烧结Ag层(16)及管芯焊盘(6)的一部分的密封体(14),加强树脂部(17)覆盖SiC芯片(1)的侧面(1c)的一部分。

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