公开(公告)号：CN107210233B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201580073894.X

申请日：2015-07-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 长谷川和功 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的可靠性。因此，将尽可能不在成为多孔质状态的Ag层(AGL)的表面上形成临时固定材料(TA)，同时，使用具有粘性的临时固定材料(TA)将搭载于Ag层(AGL)上的半导体芯片(CHP1)固定这一基本思想具体化。具体来说，以具有与芯片搭载部(TAB)接触的部分的方式供给临时固定材料(TA)，且以半导体芯片(CHP1)的背面的一部分与临时固定材料(TA)接触的方式将半导体芯片(CHP1)搭载于Ag层(AGL)上。

公开(公告)号：CN117594467A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310765711.7

申请日：2023-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤公一 ,  波多俊幸 ,  北市幸佑 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在划片步骤中出现裂纹的情况下，可以抑制裂纹向元件区域发展。在半导体晶片的主表面中形成第一划线区域和第二划线区域，第一划线区域和第二划线区域两者都限定元件区域。在第一划线区域中，形成评估深沟槽组，评估深沟槽组包括评估深沟槽‑第一部分和评估深沟槽‑第二部分。评估深沟槽‑第一部分被形成在第一区域中。在位于第一区域和元件区域之间的第二区域中，评估深沟槽‑第二部分具有在X轴方向上的宽度，并且被形成为在Y轴方向上延伸的条形。

公开(公告)号：CN113903659A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111165239.0

申请日：2016-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉原贵光 ,  贝沼隆浩 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

公开(公告)号：CN101499450B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910005255.6

申请日：2009-01-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷藤雄一 ,  中条卓也 ,  冈浩伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明使得介在于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。

公开(公告)号：CN106024710B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201610170129.6

申请日：2016-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉原贵光 ,  贝沼隆浩 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

公开(公告)号：CN102768965B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210214671.9

申请日：2009-01-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷藤雄一 ,  中条卓也 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。

公开(公告)号：CN105264659B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380076866.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  奥西勅子 ,  高田圭太

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种实施方式的半导体装置是用树脂密封了在芯片搭载部上搭载了的半导体芯片的半导体装置，其中，在沿着第1方向的上述半导体芯片的边缘部与上述芯片搭载部的边缘部之间的芯片搭载面侧，固定了第1部件。另外，上述第1部件被上述树脂密封。另外，在俯视时，上述第1方向上的上述芯片搭载部的上述第1部分的长度比上述第1方向上的上述半导体芯片的长度更长。

公开(公告)号：CN107078067A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050915.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在树脂密封型的半导体装置中，在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2)，并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。

公开(公告)号：CN104051401A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410095780.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 梶原良一 ,  中条卓也 ,  新井克夫 ,  谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  宝蔵寺裕之

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49 ,  H01L21/50 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45616 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。

公开(公告)号：CN104051401B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410095780.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 梶原良一 ,  中条卓也 ,  新井克夫 ,  谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  宝蔵寺裕之

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。