半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN106233461B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201480078258.1

    申请日:2014-04-24

    Abstract: 半导体装置包括:配线基板,具有多个配线层;半导体芯片,搭载于所述配线基板,并具有多个电极;以及第一电容器,搭载于所述配线基板,并具有第一电极和第二电极。另外,所述多个配线层具备第一配线层,该第一配线层具有与所述第一电容器的所述第一电极电连接的第一端子焊盘和与所述第一电容器的所述第二电极电连接的第二端子焊盘。另外,所述多个配线层具备第二配线层,该第二配线层相比所述第一配线层位于所述配线基板的靠内侧一层,具有面积大于所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘的第一导体图案。另外,在所述第二配线层中,所述第一导体图案具有形成于与所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘各自重叠的区域的开口部。

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